Здавствуйте. У меня такой вопрос.
Построил СВЧ фильтр на 7 гиг. Хотел посмотреть его характеристики на машине. Создал проект в HFSS. Но он не считает и выдает:



Сам файл проекта тут: http://zalil.ru/29776842

Извините. Ошибся темой

Странно, должно работать и в этом случае, но правильный безгеморройный способ Вам уже указали.

Не знаю подойдут ли Вам эти примеры использования mdif-a. Но на всякий случай выкладываю.

Спасибо! Посмотрим, хоть что-то.

Здравствуйте,

Я только собираюсь начать использовать Microwave Office, поэтому есть предварительные вопросы.
Есть ли возможность в Microwave Office построить ближнее поле либо просто выгрузить таблицу ближнего поля (по аналогии с MMANA) планарной антенны, или лучше сразу начать с HFSS, т.к. в ней судя по описанию это сделать реально?

Спасибо.

Хочу попробовать смоделировать DGS-структуру (МПЛ-фильтр, делитель мощности и т.п.) - с дефектным основанием подложки. Там идея состоит в том, что основание не полностью металлизировано, в нем имеются различные геометрические фигуры (прямоугольные, продольные, штыри и прочее). Как можно это смоделировать в MWO? Я начал с самого простого - открыл пример (EM_Wilkinson) - делитель мощности Уилкинсона с трехмерной структурой. Вот как в том примере можно модифицировать нижний слой (слой основания металлизации подложки)? Ведь он получается недоступен для редактирования. При создании модели с нуля - ситуация та же - можно рисовать какой угодно верхний слой в Мпл-структуре, но нижний слой все равно представляется по умолчанию сплошным полигоном. Можно ли как то его изменить, отредактировать?
Спасибо!

нет, нельзя.
но никто не запрещает вам следующий за ground диэлектрический слой сделать воздушным, а потом уже разместить диэлектрическую подложку, и на обеих ее сторонах нарисовать какие угодно металлические структуры. на самом верхнем металлическом слое тоже не удастся ничего нарисовать, но в этом тоже нет никакой проблемы.
и это соответствует жизненной ситуации - свою плату вы всегда помещаете в некий металлический корпус со сплошными верхней и нижней металлическими стенками.

Попробовал на том же примере из экзамплов - EM_Wilkinson. Открыл окно Substrate Informaton-----> вкладку Dielectric Layers. Вставил еще один слой, который сделал воздушным:


Затем открыл вкладку проекта Layout (в нижнем левом углу), выбрал EM-Layer 3 и добавил на размер всей структуры металлизированный слой (Draw--->Rectangle):


И теперь уже попробовал провести анализ такой структуры. Но завершить симуляцию не удается из-за каких-то ошибок, в частности, пишется следующее:


До самой DGS структуры еще далеко, т.к. даже со сплошным полигоном (в котором и будут прорези) не получается смоделировать всю структуру...
Подскажите пожалуйста,что я делаю не так?

думаю, что вам просто не хватило оперативной памяти.
я повторил всё, что делали вы (только слой воздуха под подложкой у меня толще, но мне кажется, что это не важно).
из проекта выбросил структуру, сделанную для Axiem.
расчет завершен успешно.
Windows 7 x64, 6 Гиг памяти.
при расчете использовалось чуть больше 2,5 Гиг памяти.
видимо, 4 Гига памяти для проекта д.б. достаточно на 64-битной системе.
когда металлизация нижней стороны подложки не будет сплошной, потребуется больше памяти,
но 6 Гиг, по моему мнению, должно хватить.

- на счет Axiem не совсем понял...что это?
По поводу памяти - у меня 3 гиг, система 32 бит. Но в закладке Information в строке EM Structure на вкладке Project можно посмотреть сколько требуется оперативной памяти и места на диске. Мне пишет, что предварительный анализ ресурсов моей системы пройден успешно, т.е. я так понимаю дело не в слабой мощи моего компа.
Удивляет другое - в логах ошибок есть строчка:
EM simulation failed at frequency 1.8e+010 Hz - независимо от того, какие граничные частоты я поставлю в опциях проекта. Т.е. если даже я поставлю в опциях проекта Current Range 1...2 ГГц, то всё равно будет присутствовать эта строчка с именно этой частотой...
l1l1l1, если Вам не сложно, не могли бы сбросить на почту (gr4211 собака mail.ру) или залить куда-нибудь Вашу модель, чтобы я попробовал ее смоделировать. Возможно косяк в моих кривых руках...

в примере созданы 2 структуры - одна настроена для решения солвером EM Sight,
а другая использует альтернативный солвер - AWR AXIEM.
но нам этот вариант не подходит.

да, я был неправ. просчитал проект на XPw32 - всё нормально, памяти использовалось всего 600 М.

не представляю, в чем может быть дело.
ссылку на проект дал через Личную почту.

Подскажите, пожалуйста, какие нужно изменить настройки, чтобы красный график прорисовывался на всю ось (как синий).

Хотел отписаться по поводу моей проблемы. Спасибо камраду l1l1l1, навёл на правильную дорогу и был почти прав))))
Вообщем, процесс симулиции не хотел запускаться и выдавало ошибку, т.к. на винчестере было мало свободного места,точнее, было 1,5 Гб. Когда освободил до 4 Гб - то процеес пошел. Но! Когда я смотрел на вкладке Information проекта EM_Structures - то там отображалось, что места для данногой проекта достаточно! И памяти оперативной тоже с запасом! А на деле оказалось всё иначе...
Но завершить моделирование при наличии дефектной структуры с подложкой так и не удалось(((Потому что, когда я в основании металлизации делаю дефекты, то необходимое время для симулиции вырастает на порядки. По крайне мере, мне выдавалась информация, что на симуляцию потребуется более 10 дней В итоге пока остался ни с чем...

А что за график то? Не видно ничего. А лучше проект покажите, если не секрет. Хотя, в VSS сам не работал, да и от других здесь о нем особо упоминаний поступало, но может быть и поможем чем.

График взят из примера амплитудной модуляции (AM_Example.exp, VSS, Install, AM_Example, Modulatoin, WVFM). Дело в том, что когда я меняю начальные условия (например, несущая частота 37.5 ГГц, модулирующая частота 10 МГц, Stop after 3000 ns, Time Span 3000 ns), то график результирующего колебания не прорисовывается на всю ось. Наверное, нужно изменить какие установки/настройки, но я пока не нашел какие именно. Вообще задача у меня промодулировать сигнал 100 ГГц сигналом 1 кГц, получить его спектр, добавить шумы, и проанализировать прохождение этой смеси через радиометрический приемник. Пробовал ряд программ, везде натыкался на определенные ограничения при моделировании.

Попробуйте envelope simulation в ADS. Сочетает FD расчет по несущей и TD по модуляции. Вообще, целесообразность расчета радиометра вот так, в лоб - под большим вопростом.
Но при таком отношении нес/мод - это, пожалуй, единственная ваша надежда.

Доброго времени суток, подскажите пожалуйста как подключиться через VBA к mathcad? При использование процедур описанных в справке маткада, выдает ошибку что объект не найден. Цель всей затеи отрыть маткадовский файл, задать значение переменной, провести пересчет и считать результаты. Три последнних пункта вроде понятно описаны, а вот с первым не получается. Mathcad 14 MWO 9.

Здраствуйте уважаемые пользователи MWO, Подскажите пожалуйства в чём ошибка? И как её исправить?
Моделирую ППФ на мпл в EmSight, при запуске на анализ выдаёт ошибку

Фигура, к кромке которой привязан порт, не привязана к координатной сетке. Надо выделить полосок и выполнить команду Snap to grid/ Должно заработать. Кроме того, плоскость порта должна совпадать с гранью (краем) области моделирования (Enclosure)

спасибо за ответ помогло, Snape Shape наверо тоже самое что и Snap to grid

Ещё вопрос: как провести оптимизацию схемы в Emsight чтобы заданное затухание было на определённой частоте?

Напрямую настройка и оптимизация ни в EMSight, ни в AXIEM не работает. Поэтому, видимо, придётся вручную изменять размеры топологии для получения нужного результата. Настройка и оптимизация в ЕМ работает только, если структура извлечена из схемы с помощью экстракции. Если у Вас есть схема фильтра (например, создана или получена синтезом в iFilter), то можно попробовать. Но успех такой оптимизации возможен только в случае, если схема точно отражает параметры топологии.

Спасибо за совет, Есть топология фильтра, взятая из книги Конструирование и расчет полосковых устройств. под.ред. Ковалёва И.С, и скорей всего оптимизацию придётся проводить вручную изменяя размеры структуры

Может ли MWO учитывать или даже рассчитывать электромагнитную связь между входом и выходом усилительного каскада.
Вопрос касается именно EM расчёта, не моделирования на уровне Schematic - Schematic Layout.
Возник вопрос потому что никогда не встречал таких примеров. Документация кричит об EM моделировании но о сути данного вопроса не найти ни слова. Ни "Да" ни "Нет". А любопытсво растёт.
Те случаи электромагнитного моделирования, которые описаны и приведены в примерах, ограничиваются пассивными структурами.
Предлагается считать каждую отдельно. Из чего не ясно есть ли возможность хоть как-то учесть их EM взаимодейсвие между собой, когда они расположены рядом на плате.
Те примеры, которые названы "**GHz_Amplifier" содержат EM расчёт Imput Match, Output Match отдельно. Затем обе (оба?) Match
включены в схему Amplifier в виде Subsircuits, которые на мой взгляд, не позволяют учесть EM взаимодейсвия между входом и выходом.
Не могу поверить что такого рода расчёт невозможен. Проясните пожалуйста так ли это.

Конечно возможен. Вам же ничего не мешает засунуть входную и выходную цепи в одну топологию, заменив транзистор файлом S-параметров, и смоделировать весь усилитель. Есть пример - называется MMIC_two_satge_amp (в AWR MWO 2009 точно есть), там есть возможность практически полностью смоделировать весь усилитель в EM, надо только его маленько переделать.

sp1noza wrote " засунуть входную и выходную цепи "

Благодарю, конечно, за то что вселили оптимизм, но для моего уровня
слово "засунуть" может подраземевать вовсе не то что для Вашего.
Если цели форумов это общение профессионалов, прояснение некоторых
вопросов для начинающих или людей не находящих ответов в других местах,
то путём "засовывания" этих целей добиться, опять же, нелегко.
Хорошо бы раскрыть суть "засовывания".
Кто нибудь пробовал такое? ( Какое точно я не понял). Будет ли наблюдаться
электромагнитное взаимодейсвие в "засунутом" хозяйстве?
То st1noza - Не примите за проявление недружелюбности, просто в то время как
нашёлся похожий на положительный ответ - "вроде как можно", возникли
вопросы более конкретного характера -"как начать?". Метод тыка,
в MWO ведёт к многонедельным нелепицам.

Предполагается использование внутренних портов,
к которым подсоединяете транзисторы в виде S-par.

Столкнулся с интересной - "фичей" - назовем ее так, MWO. В проекте были несколько ЕМ-структур, у которых были заданы собственные частоты моделирования. В самом проекте диапазон частот был больше. Далее ЕМ-структура была включена в схематик и проведено моделирование там. Так вот, MWO не предупредил, что у него нет всех частот ЕМ-структуры а, судя по всему, проэкстраполировал S-параметры кривой 3-го порядка, и получил я на верхнем краю диапазона S11 +10 дб в пассивной схеме. Сразу появилась мысль сделать, подключить через циркулятор, на третий вход циркулятора - нагрузку, подать 100 ватт и отапливать киловаттом комнату зимой.

Это еще раз говорит о том, что осознанность моделирования должна быть на первом плане - какую модель задашь, то и получишь. Вспоминается картинка какая-то с перефразированной пословицей "На робота надейся, а сам не плошай" (возможно даже в "Весёлых картинках" ).

Ну что делать. MWO не умеет думать за пользователя. Если даже Вы зададите всем подсхемам одинаковый диапазон, но с разным шагом по частоте, то в общей схеме можете получить неожиданные результаты в промежутках между частотными точками.

Подскажите пожалуйста, как сделать в MWO такую вещь. Имеется схема, состоящая из входного порта, подсхемы входной согласующей цепи, транзистора в виде файла S- параметров, подсхемы выходной цепи, выходного порта.
Необходимо оптимизировать входную согласующую цепь по минимуму S11. Проблема в том, что выход транзистора еще не согласован, и с его входа согласующая цепь видит в общем-то случайный импеданс. Понимаю, что должен быть простой способ это сделать - как-то нагрузить выход согласующей цепи на вход транзистора, идеально согласованного по выходу, но не нашел как. Помогите!

А сильно ли влияет нагрузка транзистора на S11? Ведь S12 у транзистора мал. Хотя, честно сказать, усилители моделировал только ради "попробовать" и очень давно.

Достаточно сильно, особенно на верхних частотах. Есть ведь индуктивность эмиттера, емкость база коллектор. И дело не в том, сильно или нет, а в том,что должен же быть какой-то способ. В принципе можно создать частотнозависимый резистор с комплексным сопротивлением, пересчитанным из S-параметров и на него нагрузить, но должен же быть человеческий способ.

Согласование нужно проводить по входу и выходу сразу.
Сделайте оптимизацию, S11 в приоритет.

Промежуточно согласовать по входу: нагрузите выход на комплекксный порт
(в свойствах порта поставьте галочку), при этом порт д.б. комплексно сопряжен
с выходом транзистора. При этом согласование будет на одной частоте.
Есть программа Zmatch, которая рассчитывает цепи согласования именно по этой методе.

кстати, Zmatch входит в последние версии AWR_Nuhertz_Filter
и рассчитывает согласующие цепи для четырехполюсников с комплексными сопротивлениями портов,
заданными для полосы частот таблично.

К сожалению сразу не пойдет - с обоих сторон цепи с десятком переменных - очень нееффективно получается.


Что такое комплексный порт и какую галочку поставить?

В свойствах порта: Specify source gamma.
Сделав согласование только по входу/выходу, все это окажется бесполезным,
как только вы сделаете второй шаг-согласование по выходу/входу.
Проверьте на простой схеме согласования-из 2х компонентов LC.

Если я правильно понял суть вопроса, то необходимо создать идеальное согласование транзистора по выходу средствами AWR MWO в полосе частот. Сделать это можно с помощью s1p файла, записав в него требуемое значение импеданса (например, комплексно-сопряженное к выходному сопротивлению транзистора). Далее тыкаем два раза на порт 2, в закладке Port ставим галочку напротив Network Terminated, затем нажимаем окей и выбираем созданный раннее s1p файл. На указанных в файле частотах будет идеальное согласование. Пример: Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Спасибо, очень помогли. Именно это и имелось в виду.

Здравствуйте, скажите пожалуйста как с помощью элемента NLCAP, задав несколько значений ёмкости, вывести несколько зависимостей для каждого значения ёмкости на одном графике. Спасибо.

Всем привет! Вопрос по расчету коэффициента устойчивости 3-каскадного МШУ. Строю график коэф-та уст. "К", в схеме два порта, между ними 3 каскада, график показывает K=2.3 (маркер на MIN) в диапазоне частот от 0,1 до 20 ГГц.
1. Означает ли это, что МШУ безусловно устойчив или измерение "К" для 3-х или 2-х каскадов не корректно приминять?
2. Где гарантия, что не "загудит" между каскадами?
3. Как правильно анализировать такие схемы в плане устойчивости?
4. Заранее благодарен отозвавшимся

Коэффициент устойчивости K>1 означает, что коэффициент отражения по входу Г вх будет меньше единицы при любой пассивной нагрузке четырехполюсника(т.е. для любых Г 2, где 2 это выход), тоже самое для Г вых. Это условие абсолютной (безусловной) устойчивости четырехнолюсника, т.е. при K>1 при любых пассивных нагрузках на входе и выходе 4-полюсник устойчив. Это как я помню определение коэффициента устойчивости

Для МШУ, по-моему, обычно смотрят только коэффициент К. Однако гарантии, что он не загудит между каскадами никто не даст. В AWR MWO есть пример исследования (измерения) коэффициентов отражения между каскадами при помощи элемента Gamma Probe. На всякий выкладываю пример здесь: Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Комментарий к использованию этого элемента можно почитать в Design Note проекта и в Help'e.



Например так: Нажмите для просмотра прикрепленного файла

При помощи элемента swpvar: в графе Values пишем все значения которые нужны, в схематике объявляем переменную и присваиваем ей любое значение, вставляем переменную x в элемент nlcap. Затем при выводе графиков в падающем окне swpvar (внизу справа) указываем plot all traces.

Уважаемый Sp1noza, не подскажете ли, есть ли способ сформировать файл с импедансами как-нибудь проще чем набить его руками?

В Output Equation можно создать переменную и присвоить ей значение входного импеданса со стороны нужного порта (вроде измерение ZIN то, что надо, но проверьте), затем применить к этой переменной функцию conj(z) и полученное значение подставить, например, в параметр элемента LOAD. Но проблема заключается в том, что переменнные из Output Equation не "видятся" в схемах проекта, как, например, Global Definition. Очень неудобно. Не помню точно, но вроде бы как-то давно изворачивался в этом случае без скриптов, то ли с промежуточным sNp-файлом, то ли еще как. Покопайте во встроенных функциях для Output Equation, может что-то есть полезное для этих целей.
Еще обратите внимание на блок NEG2, что он делает с входными импедансами. Возможно, с использованием этого блока удастся создать идеальную нагрузку. MWO позволяет некоторую фантазию проявлять и находить решения.

Можно попробовать сделать так: заменить первый порт в усилителе сопротивление 50 Ом (или элементом load), затем через output файл снять характеристику s11 и получить s1p-файл (при этом указать чтобы значения были в формате real imag), загружаем s1p-файл и меняем знак в мнимой части. Пример: Нажмите для просмотра прикрепленного файла

При этом не будет условия идеального согласования при изменении согласующей цепи на входе (при дублировании схемы со всеми параметрами и служащей только для считывания S22). Можно сделать линк на датафайл, но будет ли информация обновляться при оптимизации - не знаю.

Всем привет! Есть вопрос.
Исходные: много измеренных S-матриц фильтров, т.е. файлы тачстоунов *.s2p.
Задача: изобразить графики, на котором для каждого файла будет выводиться информация, как вот тут (можно без добротности):
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
То есть не ручными манипуляциями с маркерами, а как в VNA: нажал кнопарик - и радуешься жизни.
В виде опции крайне желательно сохранение графика в любом векторном формате.
Все это возможно в ADS (макрос на AEL, там в хэлпе даже есть пример), но готового у меня нет, писать/отлаживать нужно время.
Почему в теме МВО? - последняя надежа, все хвалят работу с графиками.

Project - data files. Указываете на файл с расширением s2p.
Затем Graphs - new graph - add measurement - в data source name указать устройство для которого приведены S параметры (само должно появится). Выбираете S11 S22 и т.д. И все готово

Подобным образом можно отобразить на одном графике сколько угодно кривых, однако информация, о которой говорит EVS, автоматически отображаться не будет. Для этого придётся создавать маркеры (щёлкнуть по графику правой кнопкой мышки и выбрать Add Marker). Вид и отображение маркеров можно менять в свойствах графика (Properties) на вкладке Markers. Информация может отображаться непосредственно рядом с маркером или отдельно в любом свободном месте. Размер маркеров и шрифты можно изменять. Причём маркеры нужно создавать для каждой кривой. Создать общий маркер для всех кривых, например, на одной какой-то частоте, не получается. Или я ошибаюсь?

Ну вот есть небольшой скриптец.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Показывает значения для всех графиков вот таким образом
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Не совсе оно, ну надо маленько доработать скрипт напильником в нужную сторону