к сожалению не смогу выложить, частоты секретные. тут важен принцип, нужен ли деембединг или нет? Без него лучше характеристики, но правильно ли это? Усиление отличается от схематика на 1-3 дБ в зависимости от того как порты установишь. И в дополнении возбуждение в некоторых случаях появляется.

Деембединг нужен обязательно с установкой connect to lower и топологию лучше моделировать в разных ЕМ структурах, а не в одной. Результаты могут зависеть от установленных опций AXIEM.
Попробуйте посчитать ЕМ структуры в EMSight. Расстояние до референсных плоскостей для деембединга не менее двух толщин подложки. Расстояние до верхней крышки побольше, 6-7 мм, и верхнюю крышку сделать проводящей или из идеального металла. Не забудьте в опциях EMSight отметить Enable AFS. Если всё сделано правильно, то результаты AXIEM и EMSight должны совпасть довольно хорошо.

evgdmi, спасибо за подробный ответ!

а как же учет связи между стоковой и затворной площадками? Попробую в EMSight. Пробовал изначально, долго очень считалось (один поток из 8 задействуется), недождался обрубил.

Да, если расстояние очень маленькое, погрешность может возрасти. Но если полученные результаты будут приемлимы, то можно по аналогии посчитать и в одной структуре. И, наверное, тогда всётаки лучше использовать экстракцию, чтобы учесть нагрузки на входах-выходах ЕМ структур.
p.s. Да, EMSight хуже использует ядра, если их несколько. В таком случае лучше использовать вычислитель Sonnet непосредственно из MWO.

Здравствуйте, уважаемые коллеги.
Требуется помощь для решения следующей задачи: создаю короткозамкнутый шлейф в схеме, далее произвожу экстракцию в EMSight, характеристика данного шлейфа как у разомкнутого. Я предположил что EMSight не видит землю. Кажется у Дмитриева в мануале есть на эту тему такая рекомендация: для заземления в ЭМ-структуре использовать компонент Via1P, но у меня ничего не вышло. Как в ЭМ-структуре из экстрации правильно организовать землю?
Кто сталкивался с такой проблемой и как ее решал?

Всё получается. Почитайте мануал внимательнее. Если опять не получится, выложите схему или её часть, которую включаете в экстракцию.

Мне кажется, идеально организовать землю в EM структуре сразу при экстракции топологии математической модели невозможно. EM-анализ как раз и предполагает, что вы будете учитывать заземление через переходные отверстия в плате или боковую металлизацию на торце структуры (например, с помощью GND порта в AXIEM или Analyst 3D).
Как запустить Via Port в EMSight-симуляторе я так и не разобрался (да и не пользуюсь я этим симулятором давно). Мне кажется Via Port Вам будет не очень полезен. Проще сделать переходные отверстия к земляному слою платы, как и предполагается в реальной плате.


Спасибо за пример! Всё хорошо работает. Как-то не возникало необходимости делать раньше экстракцию переходных отверстий. Всё дорабатывалось уже в EM-редакторе. Но будем знать, в принципе полезная вещь.

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста: как можно рассчитать импеданс платы относительно земли при подключении к одному из портов 50 омной линии исходя из ее измеренных значений S параметров (плата подключалась к анализатору цепей с двух ее портов)? Есть S параметры платы S11, S12, S21 и S22, записанные в одном файле. Плата представляет собой НЧ фильтр и имеет вид микрополосковой линии с подключенными к ней отрезками полосков в разных местах платы. На входе и выходе платы стоят порты. Сначала я перевожу S параметры в Z параметры, а затем из этих Z параметров надо как то выразить импеданс платы со стороны первого порта при подключении 50-ти ом к ее второму порту. Оптимизация этих S параметров для нарисованного в AWR фильтра с похожей топологией дает почему то очень не точный результат (частоты - 3 ГГц).

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Каскадное включение четырехполюсников (двухпортовых устройств), последний из которых (линияс Z = 50 Ом) вырождается в двухполюсник (однопортовое устройство). Фельдштейн и Явич в помощь (Синтез 4-х- и 8-миполюсников на СВЧ).
P. S. Или причём здесь MWO?

Схема включения, как у вас на рисунке. Предположим Вам надо измерить импеданс "платы" со стороны первого порта при подключенной нагрузке 50 Ом ко второму порту. Находите в измерениях группу Linear и там в корне есть метод ZIN. Указываете первый порт и выбираете вашу схему в "Data Source Name". В поле "Complex Modifier" выбираете тип представляемых данных и нажимаете Ok или Apply. Так же можно измерять импедансы маркером прямо на диаграмме Смитта при измерении S11. Аналогично с Z-параметрами и т.д.

А Вы в какой опорной плоскости измеряете эти S-параметры?

Не очень понятно, что значит подключить 50 омную линию к одному из портов. Линию подключить нельзя, можно подключить отрезок линии. Собственно сам порт и преставляет собой примерно такую линию. В таком случае входной импеданс с 50-омной нагрузкой можно определить двумя способами. Использовать измеряемую величину ZIN. Или более сложно, определив выходное уравнение для входного сопротивления, используя элементы матрицы ABCD по формуле Маттея. Во вложенном файле результаты этих способов несколько отличаются, очевидно потому, что линия не совсем 50 омная. При этом не имеет значения, использовать схему отрезка линии, или схему с включённым в неё файлом данных в качестве подсхемы.
p.s. Кстати, вовсе не обязательно переводить s-параметры в z-параметры.

Отрезок будет резонатором в случае рассогласования на стыке или просто отражателем с перенесенной фазовой плоскостью отражения в случае согласования на стыке. Видимо, имеется в виду пулубесконечная линия передачи, которую в данном случае можно просто заменить на Z = 50 Ом.

Извините, не понял почему результаты отличаются? Мы же считаем одну и ту же величину - импеданс входа!

Нашёл ошибку. В формулах должны стоять комплексные величины коэффициентов, а не их абсолютные значения.

Вы правы.

Имеете ввиду, если эту схему описать Z параметрами? Но я их прописал в output equation, и как их связать с новой схемой - непонятно.
Если же считаю ZIN через прописанные в output equation Z параметры - получается ерунда (возможно в уравнениях ошибки которые я не понимаю). На счет маркера на диаграмме Смита - это же получается комплексный S11, а не импеданс. Для схемы, описываемой S параметрами, ZIN получается таким:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

при этом S параметры в Microwav сходятся с показаниями анализатора цепей:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла


Плата представляет собой внешние цепи согласования транзистора на 50 Ом. Порты подключаю к плате с двух сторон: со стороны вывода транзистора и со стороны 50-ти омной линии.

Файл этот - MLIN у меня не открывается , т.к. у меня версия AWR 2010 года. Если можно сохраните проект в данной версии - хотелось бы посмотреть на уравнения. И почему не обязательно переводить S параметры в Z?

Ну да, можно заменить на 50 Ом. 50-ти омная линия: коаксиальный кабель + нагрузка.

Выкладываю в 9-ой версии, но не свой, а тот, что выложил MePavel. Он точнее.
Переводить s-параметры в z-параметры не обязятельно потому, что и ZIN, и уравнение можно создавать непосредственно из s-параметров.

Думаю, что пользоваться output equation Вам совсем необязательно. Намного проще использовать готовую функцию ZIN.

Совершенно верно. Для того, чтобы маркер переводил комплексный S11 в импеданс нужно зайти в свойства диаграммы (правой кнопкой мыши на графике Properties). Там найти вкладку Markers. В поле “Z or Y display” выбрать радиокнопку «Denormalized to» и указать значение импеданса порта. В поле «Display Type» должен быть выбран «Impedance». Формат представления комплексных чисел выбрать по вкусу. См. рисунок.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла


Судя по всему вы измерили S-параметры вместе с коаксиальными кабелями и коаксиально-полосковыми переходами, соединяющие векторный анализатор цепей с Вашей платой. Всё это надо исключать из рассмотрения, а то импеданс измерять так бессмысленно, как мне думается.


Вообще таким методом снять S-параметры именно того чего надо, достаточно сложно. Но это уже другая тема.

У меня тоже AWR 2010. Попробую сохранить в формате более ранних версий.

Вообще пассивный порт в MWO представляет собой просто 50-ти омный (или иной) резистор, если рассматривать как нагрузку. Откуда там линия взялась не очень понимаю.

Да, так и измерял)

Исключение паразитных элементов, как я понимаю, надо проводить путем измерения коаксиального кабеля с портами и дээмбидингом их S параметров из S параметров всей системы? Здесь скорее всего полно подводных камней, существует ли литература на данную тему?

Спасибо за файл, evgdmi и MePavel. Но вот что-то я здесь не пойму: до этого Вы писали, что в формулах должны стоять комплексные величины коэффициентов, а не их абсолютные значения, а здесь в output equation Zin определяется через абсолютные значения.

Щёлкните правой кнопкой мышки по одному из уравнений для ABCD, например по ABCD11=Schematic 1:ABCD(1,1) и выберите Properties. Откроется окно Modify Measurement Eguation и Вы увидете, что это комплексные значения.

Совершенно верно!

Я думаю, что руководство пользователя векторного анализатора. ) Разумеется нужны калибровочные меры (калибровочный набор). Количество "подводных камней" зависит от требуемой точности и частоты. Но это уже другая тема. Хотя может есть, кто управлял VNA прямо из AWR и делал процедуру деэмбединга в нём же. Интересно было бы почитать про это.

В output equation только конечный результат Zin по модулю, остальные коэффициенты ABCDx комплексные.

Благодарю за помощь, MePavel, evgdmi, EUrry! Многое стало понятно.

Полуофф. Наверное больше для не своих. Может ли кто-то спрямить или переложить http://u18141732.shareflare.net/download/3...CAL_10.exe.html или http://u1076475.letitbit.net/download/3201...xe.html?lang=ar да и вообще проверить, это то, что мы все подозреваем - последние вендорские библиотеки? А то у меня и дома и на работе один айпишник на тысячу, плюс защита честно блокирует вирус Скаймонк еще у провайдеров.
Добавлено. Пока отбой - удалось запустить закачку с летитбита.

Немного офф . ledum, библиотеки по размеру один в один со старыми 10-ой серии. "?lang=ar" в конце ссылки - мы не ищем простых путей ))

Updated.
Есть пара вопросов к Вам, но личный ящик забит.

Дык для многих из нас не зеленых по цвету 10-я - это новая версия. Более того, по сайту AWR пока последняя. Я убирал ar - у меня все равно вязь появляется. Более того после обновления страницы появляется в адресе, даже если ее первоначально не было. Видать летитбит отслеживает страну закачки, а шарефларе - скачки.

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста: как в МО сделать импульсную модуляцию?
Есть транзистор, на его сток нужно подать импульсное напряжение 50В длительность импульса 1мкс период 1мс.
Офис 9 версия.

Здравствуйте. Я пытался смоделировать два усилителя http://www.hittite.com/content/documents/d.../hmc453st89.pdf и http://www.nxp.com/documents/data_sheet/CL..._1G0060S-10.pdf
Модели взяты из Vendor Local и отдельной библиотеки с сайта NXP. Я пытался повторить все в точности, как указано в даташите. Согласующие цепи, материалы подложек и прочее. Но в итоге я получаю отличия в коэффициентах усиления, обратных потерях и другом. Вопрос такой: что я делаю не так?
Прикрепляю два проекта, посмотрите пожалуйста, если есть возможность, делайте правки.

Конкретные вещи, например частота или еще что то меня не интересуют. Эти два усилителя были выбраны мной практически в случайном порядке, просто для примера.
Всем спасибо. Буду рад любой информации по проектированию усилителей мощности в МО

Вопрос о модуляции у меня остается открытым. В идеальном случае я хотел бы что бы оба этих усилителя были промодулированы.

А где Вы в проекте указывали материал подложки?

Не знаю причём здесь модуляция. Модель усилителя HMC453ST89 вроде как линейная (просто набор S-параметров). Поэтому смысла не было рисовать источник питания V1, которым Вы зашунтировали цепи снабберов С5R1. Шунтирующий конденсатор в питании С6 тоже не при делах оказался.

Подложка должна быть в глобальных определениях.

Хорошо, с питанием разобрался. А что насчет отличий в коэф усиления и обратных потерях? Мне просто не совсем понятно как правильно спроектировать усилитель. Первый этап у меня заключается в простом повторении данных производителя, второй- пересчет на другие частоты и другие диэлектрики. Пока это просто обучение оффису.
Спасибо за ответ.

Интересно и какого порядка получается отличие?
P.S. Считаю, что в большинстве случаях проектирование выходной согласующей цепи по малосигнальным S-параметрам для изделия, которое будет работать в режиме большого сигнала (нелинейном режиме), очень некорректно.

Какой Вы литературой пользуетесь, если не секрет?
P.S. По поводу импульсного режима источника питания, то не совсем понятно зачем это надо моделировать в AWRDE? В AWRDE конечно можно проводить анализ переходных процессов, но на мой взгляд для этого есть более удобные программы. При анализе переходных процессов в AWRDE вы скорее всего столкнётесь с тем, что симулятор будет ругаться на всякого рода элементы СВЧ. Проэтому придётся работать только с теми элементами, которые совместимы с Transient анализом.

К сожалению, в данный момент не имею доступа к проекту, но на сколько мне не изменяет память речь идет о разнице в коэф усиления 1 дБ, обратные потери больше.
В проекте усилителя NXP заявленная полоса 500-2500МГц так же не получается.


В качестве основного источника знаний о Microwave Office я использую книгу "Основы моделирования в Microwave Office 2009" Дмитриева Е.Е., а так же видео с ютуба.

Ну так и правильно всё. В даташите коэффициент усиления меньше на 1 дБ, т.к. его измерили на большом сигнале при уровне компрессии 1 дБ (т.е. при таком уровне выходной мощности, при котором коэффициент усиления снижается на 1 дБ). Плюс надо не забывать о потерях в реальных согласующих цепях. Так что сходство очень высокое.
Вы же использовали линейную модель, которая даёт линейную связь выходной мощности с входной. Усилитель в Вашем проекте может и мегаватты выдавать и при этом коэффициент усиления не изменяется совсем. Кроме того, потребляемый ток не меняется, поэтому эффективность можно получить любую и намного большую 100%. А всё дело в том, что подавать постоянное смещение на линейную модель S-параметров бессмысленно. Всё равно что подать питание на резистивный аттенюатор.

MePavel, большое спасибо за Ваши ответы. Все как всегда четко и по делу.

Подскажите как правильно использовать функцию:
interp(type, x, y, new_x)
Перешарил весь интернет и ничего не нашёл.

1. что за параметр "new_x"?
2. можно ли использовать в параметре "х" переменную "_FREQ"?

примерчик бы...

Этот вопрос возник при работе с импортированными файлами формата *.sNp (*.zNp) и применении к ним формул. AWR ругается на размерность массива импортированного файла.

Вот что об этой функции написано в хелпе:
Returns interpolated y data at new X points. x, y, and new_x must be real vectors, and x and y must be the same size.type can be 0 (linear), 1 (polynomial), 2 (rational), or 3 (cubic spline).
Если я правильно понял, функция используется для интерполяции действительных векторов , (но могу и ошибаться). Я этой функцией не пользовался, сейчас попробовал ради интереса, и вот что получилось. Векторы записаны с потолка и я толком не понял, чтобы это значило.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Спасибо.
Может я не тем занимаюсь. Щас попробую более детально обьяснить:
Я в МАТЛАБе делаю SPICE модель. А потом правильность её создания хочу проверить в хорошей программе по моделированию. Выбрал AWR.
Чтоб показать мою проблемму вчера смастерил лесничную SPICE моедель конденсатора.
- Из МАТЛАБа я сгенерировал матрицу Z-параметров (.z1p).
- Подгрузил её в проект в "data files"
- Потом попытался сформировать на графике частотную зависимость ёмкости и следующий шаг относительного отклонения моёй модели от модели AWR.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Внизу видно, что ругается на размерность массива. Вот я и спрашиваю про функцию интерполяции, чтоб дополнить линейной интерполяцией недостающие частотные точки.
Я конечно могу ошибаться, но у меня почему то подгруженные данные не интерполируются по умолчанию. Никаких доп. настроек по этой части в AWR я не делал. Программа настроена по умолчанию.

А ещё лучше увидеть работающий пример.

Ой. А у меня получилось.
Вот ответ на мой вопрос.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Спасибо всем пытающимся помочь.
Уже несколько раз замечал, что пока формулируешь вопрос, становится ясен ответ.

Интересно. А Вы можете выложить исправленный проект? В предыдущем проекте у Вас некоторые функции не работали потому, что количество частот в проекте и в файле данных было разным на четыре частоты, а перемножать векторы разных размеров нельзя. Если удалить 4 частоты в файле данных или добавить в проекте, то все функции работали. Как Вы вышли из такой ситуации?

Вот в этом и заключался мой вопрос. Что не получается использовать матрицы с разным размером особенно при импорте Z(или S) матриц.
В предыдущем посте я написал как я победил эту проблему:
1. Из загруженного файла выделяется сетка частот - функция "svpvals"
2. из загруженного файла выделяется необходимые данные - функция "imag(Z11_nominal)"
3. извлекаем необходимую сетку частот нашего текущего проекта - функция "_FREQ"
4. интерполируем линейной функцией наши данные в сетку частот проекта - функция "interp". На выходе этой функции будет уже наша матрица нужного размера.

ну и наслаждаемся работой.

Я понял, Вы выровняли количество частот в проекте и файле данных. Но это можно сделать и по другому. Просто добавить к частотам проекта 4 частоты, близкие к последним частотам файла данных, что не сложно. Однако при выравнивании количества частот линейная интерполяция начинает действовать по умолчанию и нет необходимости пользоваться функцией interp. Писанины немного поменьше
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
p.s. Кстати, у AWR есть скрипт COM_interface_with_Matlab для обмена с Matlab. Правда я не разбирался, как его вставить в MWO и как он работает, т.к. я не работаю в MATLAB.

Спасибо, за совет. Попробую.
Но у меня файлов много и каждый раз дополнять и синхронизировать в ручную это напрягает. А в моём случает один раз написал формулу и наслаждаюсь работой

О!! Я не знал. Посмотрим есть ли данный скрипт в моей официальной лицензии.
Спасибо за совет.

На этот скрипт отдельной лицензии не требуется. Если есть лицензия на AWRDE с поддержкой, то скачать нет проблем.

Здравствуйте!
Кто может подсказать что с библиотекой modelithics ( конкретно нужна модель транзистора TGF2023-2-01). Её вообще можно скачать/купить и пр.? Знаю тема поднималась, однако ссылка мёртвая.

А Вы как думаете, ее альтруисты создавали для собственного пользования? Но нужна ли она Вам из-за одного транзистора при ее большой стоимости? Или Ваш работодатель готов заплатить?

Спасибо за содержательный и доходчивый ответ! Очень помогло.
Я раньше не пользовался этой базой, поэтому не очень понимаю: на сайте Modelithics указано, что модели серии транзисторояв TGF2023-2-X ляются басплатными, скачать можно после регистрации, однако сама регистрация не проходит. Вопрос к тем кто пользовался этими моделями: кто качал - где и как их можно скачать/купить, прочие моменты?

Для более содержательных ответов, к сожалению, этот раздел не подходит! Единственное, не уверен, что Вас пустят в соответствующий раздел.

Добрый день.
Помогите разобраться с проблемой: есть зависимость импеданса от частоты, выведенная на графике для определенной схемы. Нужно эту частотную зависимость прописать в элемент, чтобы в дальнейшем использовать его в другой схеме. Зависимость из графика прописывается только в Output equation: Imped=Shematic1:Re(Zin(1)), (как ее от туда взять - не знаю), а на самой схеме такая запись не читается. Как это можно сделать?
И еще вопрос: есть ли функция (или элемент) для записи модуля числа в Output equation?

А разве нельзя сделать импорт S-параметров (Z-параметров) и в дальнейшем подгружать её в Ваш проект.
См. вкладку в проекте "Output files" для сохранения результатов моделирования
и "Data files" для импотра элемента.
В дальнейшем схемный элемент и топологию можно потом изменить в свойствах элемента.

А как мне тогда разбить ее импеданс на Re и Im? Мне нужен элемент с зависимостью реальной части импеданса.

abs(z)


А у вас какое устройство моделируется? Не более чем с двумя портами? Например, для двухпортовых устройств есть элемент S2P_BLK, S-параметры для которого задаются аналитически (вопрос такой поднимался в самом начале топика).

Что-то я не очень понял, для чего Вы хотите использовать полученный Zin. Ваша другая схема имеет другую структуру, но должна иметь такой же импеданс? Другая схема находтися в том же проекте или в другом? Или Вы хотите использовать полученный Zin в качестве подсхемы или нагрузки? От этого может зависеть, как поступить.