сама программа AWRDE 10-ой версии 32-битная, но, если устанавливается на 64-битную систему,
то в её папке есть папка х64, содержащая некоторые солверы, в частности AXIEM.
поэтому при использовании AXIEM вы не будете испытывать проблем с памятью,
чего не скажешь об EMSight, которая в 10-ой версии 32-битная.
кроме того, на мой взгляд, AXIEM создает более оптимальный меш, нежели эквидистантный в EMSight.
в ряде случаев существенным различием является то, что EMSight обсчитывает плату "в коробочке",
а AXIEM не учитывает наличие боковых стенок корпуса.
в 11-ой версии есть полностью 64-битный вариант AWRDE, но это пока бета.

Ага, спасибо. В АХIEM всё моделируется, результаты схожи с "кусочной"-EMSight. Кроме того, процессор на всём протяжении моделирования был загружен на 70%, ОЗУ подскочила незначительно, а время моделирования уменьшилось в раза 3. Вопрос, зачем тогда нужен EMSigtht? А т.н. "коробочку" (корпус) можно ведь и самому сделать с помощью VIA по бокам структуры.

Конечно "коробочку" можно сделать. При этом незабудьте заменить свободное пространство сверху на металл на соответствующей высоте над платой, если топология должена быть в закрытом корпусе. Время анализа при этом увеличится. А EMSight может пригодиться, например, при моделировании фильтров СВЧ в корпусе при условии, что филтр не имеет наклонных резонаторов. Иногда такой анализ в EMSight выполняется быстрее за счёт того, что в AXIEM в стенки "коробочки" тоже встраиваится сетка. И кроме того иногда опции по умолчанию не являются оптимальными и их приходится изменять.

Здравствуйте,подскажите:как отобразить функцию во времени(на графике) длиннее двух периодов?И как задать,чтобы функция прерывалась во времени,то есть задать импульсную модуляцию для радиосигнала? Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла

Если используете "APLAC Trans" симулятор, то можно поиграться с настройками либо в глобальных настройках ("Options" - "Default Circuite Options"), либо во свойтсва проекта схематика (правой кнокой мыши и выбираете "Options") во вкладке Transient (предварительно убрать "галочку" " Use project defaults" ) либо с числом периодов Periods (по умолчанию "2") в разделе "Use HB settings" либо со временем (там же только "галочку" снять).

Те же манипуляции, но с симулятором HSPICE Trans - при снятой галочке use hb setting установить начало, окончание и шаг симуляции

Похоже 11я версия не дружит с Sonnet, да и с CST
Да здравствует Analyst?

Здравствуйте! Я новичёк. Читаю манулы, разбираюсь с программой. К сожалению, похожих примеров на мой случай я не нашёл.
Мне нужно построить, смоделировать одновходовый пав резонатор, построить гафики проводимостей, S-параметров.
Я так понял, можно использовать кварцевый резонатор в качестве пав резонатора (https://awrcorp.com/download/faq/english/docs/Elements/CRYSTAL.htm).
Построил простейшую схему и получил полностью линейные графики для всех значений, никаких последовательного и параллелного резонансов там нет.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Наверняка, многое упускаю из виду или делаю не правильно. Помогите разобраться)
Использую AWR Design Environment 10 (есть и 9 версия). Файл проекта Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Не являюсь специалистом по резонаторам, однако если проанализировать вашу схему в более широкой полосе частот, то виден и последовательный резонанс (433,9МГц) и параллельный (446,75МГц). Особенно если поменять R1 с 50 Ом на 1 Ом.

Спасибо! Я ошибся в полосе частот, выставил совершенно не те параметры. Если в схеме я не ошибся, то теперь выглядит всё более-менее приемленно)
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Это не так. 11-х версий несколько. Не дружит с Sonnet которая полностью 64 bit. Другие дружат.

Интересно, почему. Казалось бы em socket есть для подключения "любого" солвера. Каким образом отрезан Sonnet и по какой причине? И лицензия для 32 и 64 одна и та же.

Есть версия полностью 64 bit, т.е. и AXIEM, и Design Environment, и, естественно, Analyst, все 64 bit. Именно эта версия не видит солверов других производителей. Почему, не знаю. Возможно Design Environmen 64 bit не поддерживает em socket. Или Sonnet не хочет работать с Design Environmen 64 bit. Однако есть такая же версия, но смешанная (mixed), у котрой Design Environmen 32 bit, а всё остальное 64 bit. Эта версия видит Sonnet. Возможно и лицензии не совсем одинаковые, точно не знаю.

Пользую MWO 8, и мучает вопрос : при старте выскакивает список, где можно выбрать раличные пункты. Например ANO200-229, MWO100-229. VSS 150-350. О чём идёт речь и чем они отличаються?

ANO и MWO нельзя установить вместе, только чтото одно. Если не ошибаюсь, ANO может моделировать только аналоговые цепи. VSS - это моделирование систем. Обычо предпочитают ставить MWO и VSS с наибольшим числом, как правило у них больше возможностей. Посмотрите вложенный файл, может поможет выбрать. Ну а когда выберите, отметьте Always run with the selected features, чтобы это окно больше не выскакивало. Заодно можно отметить Create Desctop Shortcut, чтобы создать ярлык на рабочем столе для удобства загрузки.
Если потом возникнет необходимость открыть это окно, можно выбрать команду меню File>License>Feature Setup.

А есть ли у кого-то из пользователей AWR доступ к этому документу? http://www.awrcorp.com/news/article/awr-wh...g-em-simulation

SWPVAR и вывод Z-параметров
Джентльмены! Подскажите, как вывести из MWO в текстовый файл результаты симуляции импеданса в зависимости не от частоты, а от развёртки параметра с помощью SWPVAR?
Заранее спасибо!

Подскажите, пожалуйста, при выводе на график Pharm отображаются только 6 гармоник, включая постоянную составляющую. Можно ли увеличить их количество? Заранее спасибо.

Можно сначала вывести результаты в табличный график (Tabular). Затем скопировать их (Edit>All To Clipboard). В текстовом редакторе создать пустой текстовый файл и вставить в него скопированную таблицу. Обычно она вставляется не ввиде таблицы, а как столбцы, расположение которых можно отредактировать для удобства просмотра.

Как наиболее точно промоделировать обведенные красным линии, не применяя электромагнитное моделирование: обычными микрополосковыми линиями, связанными микрополосковыми линиями? или еще какие-то варианты есть?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Hi ALL!

Может ли кто-нибудь подсказать по поводу того , что результаты синтеза в IFilter не совпадают с топологией?

2 дня сижу и ничего не могу понять. Синтезирую фильтр на произвольную частоту в диапазоне 10-20 ГГц. Материал 4350. Проницаемость беру 3.66.
В итоге после синтеза фильтра все хорошо, подстраиваю и перегоняю топологию в ЕМ. А вот там начинается после анализа непонятное. Характеристика рассыпается и не просто по частоте , а вообще ее нет. В итоге думал что сам с настройками что-то накосячил. Взял книжку Дмитриева про IFilter и полностью пошагово реализовал пример из главы 2.2.6. В итоге тоже самое ... Прилагаю файл проекта.
Спасибо

microstrip_shf посмотрите как у вас в EM симуляторе заданы печатные проводники. У вас не правильно, у вас нет проводников одни VIA_сы http://electronix.ru/mkportal/modules/copp...&fullsize=1 , должно быть так http://electronix.ru/mkportal/modules/copp...&fullsize=1

Все, понял ошибку. Спасибо Вам.

Здравствуйте. Можно ли в Microwave Office рассчитать топологию направленного ответвителя с боковой связью?

Да. т.к. это основная задача для AWR MWO

А не подскажете как это сделать?

Сами что уже почитали? Что у Вас неполучилось?
Вот первая же ссылка по гуглу . п.5.4 стр 102
http://www.eurointech.ru/products/AWR/Dmit..._mwo_2007_1.pdf
Но лучше начинайте с линейного анализа на связанных микрополосках

Почитайте хелп. или его перевод на русский Дмитриевым или Потаповым.

Топологию такого ответвителя лучше всего синтезиолвать в Genesys, а потом "доводить" в AWR или CST.

Не обязательно. Можно сначала рассчитать и оптимизировать топологию на "закрытых формах", а потом провести экстракцию топологии в электродинамику и уже потом "доводить". Т.е. сценариев несколько


Конечно можно Вот тут простенький примерчик, а вот тут набор ссылок на русскоязычные материалы по AWR DE.

уважаемые serega_sh____, RFF-11 и Neznayka !
давайте не вводить в заблуждение новичка Loota.
нельзя рассчитать топологию направленного ответвителя с боковой связью с помощью Microwave Office.
можно анализировать, моделировать, оптимизировать, но синтезировать,
то есть рассчитать длину, ширину и зазор связанных линий нельзя.
в отличие от фильтров, для синтеза которых в AWRDE есть утилита iFilter.
можно конечно методом тыка и по аналогии с известной топологией взять параметры
для последующей оптимизации, но это для простейшего случая еще годится, а вот для монстра, которого Neznayka называет простеньким примерчиком, не подходит точно.
и уж назвать расчетом топологии взятие начальных значений параметров для оптимизации методом тыка просто язык не поворачивается.

расчетом топологии микрополоскового направленного ответвителя с боковой связью,
по моему мнению, можно назвать следующую процедуру:
1) по данным литературы (например Малорацкий Л.Г., Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ 1976г.) рассчитать для заданного коэффициента связи волновые сопротивления четного и нечетного типа связанных линий.
2) если для заданного эпсилон подложки будут найдены в литературе номограммы
определения ширины линий и зазора, определить их по номограммам,
если же нет - воспользоваться программой, например (Txline не годится) Polar Si8000.

а вот потом, используя Microwave Office, оптимизировать характеристики направленного ответвителя с учетом неоднородностей и пр.

Не спорю в AWR нет синтеза ответвителей, но в Genesys есть.

я Genesys не очень хорошо знаю, подскажите, где он там?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

В Signal Control

о, спасибо, действительно там довольно широкий набор вариантов представлен -
и шлейфный, и Ланге, и с боковой связью, и с лицевой. круто.

Добрый день. В свойствах подложки ЕМ-структуры в EMS есть два поля: Conductor и Impedance Definitions. Проводники с малым удельным сопротивлением чертил в Conductot D., а с большим - в Impedance D. А тут чего-то задался вопросом, будет ли разница, если я вместо удельной проводимости буду использовать сопротивление. Помоделировал простенькие полоски - существенной разницы не выявил.
Хотелось бы услышать мнения, есть ли какие-либо предпочтения или нюансы в выборе первого или второго типа свойств материала проводников?

Очевидно, что используются различные модели. Посмотрите на расширенные параметры в случае проводника: это модель, учитывающая объемные параметры. Импедансная модель, по-видимому, упрощенная - учитывает поверхностные параметры и применима, наверное, когда объемными параметрами или их изменением можно пренебречь (последний тезис следует уточнить!!!).
Всё зависит от задачи. Ваши пробные примеры не включали расширенные возможности моделей. Поэтому, результаты сопоставимы

Для проводников, определённых в Conductor, назначается толщина. Для проводников, определённых в Impedance толщину назначить нельзя, она обнуляется автоматически. Для одиночных проводников это не имеет особого значения. Но для связанных линий с малым зазором, например в направленных ответвителях с сильной связью, учёт толщины может повлиять на результаты существенно. Лучше такой анализ делать в AXIEM, где толщину учесть просто. Можно примерно посчитать и в EMSight, если толщину проводника создать искуственно добавлением ещё одного слоя. Так что Eurry совершенно прав, всё зависит от задачи.

Да, толщину проводников с импедансом скидывает в тонкий слой. Но непонятно, что представляет из себя перемычкам VIA сделанная из такого материала. Я не представляю как так ...

Опять EMsight VS AXIEM...
"Лучше такой анализ делать в AXIEM, где толщину учесть просто. Можно примерно посчитать и в EMSight, если толщину проводника создать искуственно добавлением ещё одного слоя. Так что Eurry совершенно прав, всё зависит от задачи."
Разве EMsight не учитывает толщину проводников? Я думал и там и там 2,5D. С недавних пор перешёл с EMs на AXIEM, хотя так и не понял в чём их отличительные особенности. Просто последний использует ресурсы компьютера по максимому и дела идут соответственно быстрее А результаты практически не отличимы.

Тонкостенный проводник.

При вычислении параметров порта (S-параметров и др.) EMSight толщину проводника не учитывает. AXIEM по умолчанию кстати тоже не учитывает, чтобы он учёл, нужно отметить соответствующую опцию.
Вовсе не всегда результаты EMSight и AXIEM не отличимы. Попробуйте, например, посчитать топологию с наклонными резонаторами (Фильтр с боковыми связями и развёрнутыми резонаторами). В EMSight с его прямоугольной сеткой точного результата Вы не получите. Кроме того, в AXIEM топология не обязательно должна точно совпадать с сеткой, он сетку встроит как надо. Да и сетку можно брать крупнее без потери точности. Но попробуйте в AXIEM встроить топологию в корпус с боковыми стенками и верхней крышкой и сравните скорость анализа.
И ещё. Добавление проводников в области Conductor испльзуется для задания геометрических параметров элементов схемы (W, L, h), а в области Impedance - для электрических (волновые сопротивления, электрическая длина). В старых версиях MWO (до 7-ой) эти области так и назывались, физическая и электрическая. Видимо электрические параметры предполагалось использовать при анализе схем, заданных электрическими параметрами. Наприме, в iFilter вы можете синтезировать фильтр и передать в MWO схему с электрическими параметрами.

Доброго времени суток, уважаемые. Подскажите, как настроить структуры SBCPL для отображения в 3D? В help'е есть указания по редактированию lpf файла, сделал все как написано: добавил строки точно такие же как в Help'е, переименовал названия структур в свойствах SBCPL, а оно не работает...
Нажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файлаНажмите для просмотра прикрепленного файла

Подскажите как задавать температуру при моделировании у схемы?
Имею схему со SPICE моделям. SPICE модели имеют температурные зависимости. Мне нужно оптимизировать мою схему в температурном диапазоне.

Для примера я взял один транзистор и смотрю как у него меняется ток колектора. Если я изменяю температуру на транзисторе, то ток изменяется (открываю свойства транзистора и вывожу температуру на крутилку). Если я изменяю глобальную температуру(_TEMP), то ток не меняется.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

На сайте компании CREE скачайте пример Thermal Performance Guide for High Power SiC MESFET and GaN HEMT Transistors

<br /><br /><br />
Thermal Optimization of GaN HEMT Transistor Power Amplifiers Using New Self-heating Large-signal Model

Спасибо, но в этом документе я не нашёл ответа как в AWR MWO моделировать разные температуры. И как их задавать при моделировании схемы.

Посмотрите пример (2-й указанный файл) - Thermal Optimization of GaN HEMT Transistor Power
Amplifiers Using New Self-heating Large-signal Model

Я Вас не понимаю. Можно попросить дать ссылку на этот второй файл. Или дать правильное название или указание.

RFF-11 Спасибо. Это для другого.

Похоже я неправильно сформулировал вопрос:
Я делаю МШУ, которое работает в диапазоне от -60 до +60 градусов на биполярном транзисторе. Как при помощи AWR задать параметр этой температуры у всей схемы (СВЧ транзисторы, цепи смещения и термокомпенсации, резисторы, конденсаторы).
У каждого отдельного транзистора можно изменить температуру при помощи крутилок. При отлаживании схемы мне не очень интересно менять температуру у 10 транзисторов и 5 диодов. Поэтому мне нужна температура у всей схемы, чтоб просчитать термокомпенсирующие цепи.

Пробовал изменять температуру _FREQ используя формулы и выводя их на крутилки, но почему то AWR не изменяет ток коллектора при этом.

проект с вопросом, я приложил в своём раннем посте. Где там ошибка? Что там не так?

Можно ввести глобальную переменную для температуры: например, tp=22, а во всех компонентах,
там где есть параметр темп-ры, поставить значение tp; крутить будете только tp

спасибо. Вы совершенно правы. все как обычно просто.