Нашел почти то, что нужно:
FAQ: Calculate 3dB Bandwidth of Bandpass Filter
Немного доработать и, вроде, все бы ничего, но:

AWR считает полосу по простому: берет максимальное значение InsLoss, от него ищет вправо-влево по -3dB и называет дельту полосой по уровню -3.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Agilent в своем скрипте в векторнике делает то же самое, но не от максимального значения, а от значения в центре полосы. И также называет это полосой по уровню -3.
Естественно, значения получаются разные. Кто правее ?

А Вы уверены, что правильно определили как считает Agilent?
Ведь для того, чтобы измерить от значения в центре полосы, надо сначала найти этот центр!

Да.
По неподтвержденным данным, расчет идет в соответствии с этим:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Т.е. первая итерация берет в качестве исходной, действительно, максимум. Относительно него вычисляется полоса, середина которой используется для второй итерации. В принципе, количество итераций можно и увеличить, но, похоже, Agilent посчитал это излишним. Ошибки интерполяции (применена линейная) все равно дадут ошибку. Теоретически можно и квадратичную использовать, и количество итераций задуть до небес, но едва ли это имеет практический смысл.

Все. Сделал. Если кому интересно, в ADS вот этой функцией: Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Тип прибора?

Здравствуйте, уважаемые форумчане! У меня вопрос по использованию MWO. Необходимо создать полосковый фильтр на сложной подложке из трех слоев диэлектрика. Медь-фторопласт-медь-RT6002-фторопласт-медь. В моделях подложек есть например SSUBT или SSUB4. Беда в том, что данный тип подложек использует крайне ограниченный перечень полосковых элементов. А надо оптимизировать топологию фильтра как в приложенном архиве... Кто-нибудь сталкивался с этим? Буду очень признателен за помощь.

Да постоянно.
Если у вас уже определена топология и это топология уже похожа на фильтр, то есть смысл заняться только ЕМ-настройкой/оптимизацией без схематика. МВО позволяет это делать, но как-то через ... экстракцию и т.д. Возьмите любой МоМ солвер, позволяющий образмеривать и оптимизировать именно топологию. Оптимум для вашей задачи - Sonnet, можно попробовать Momentum, но у него бывают совершенно дурацкие глюки. Ну или уж для эстетов - HFSS, в нем еще проще - полная параметрика.

В MWO оптимизация топологии возможна, только если топология извлекается из схемы с помощью экстракции. Пример такой оптимизации есть в пособии "Основы моделирования в Microwave Office 2009". Но успешной такая оптимизация бывает, если схема точно отражает особенности топологии. У Вас точно не получится, т.к. в схеме не отражено, что заземление делается через перемычки.
И ещё. Мне кажется, у Вас довольно большой шаг по частоте. Сделайте его поменьше, не 0.01, а 0.005 или 0.001. И включите опцию Enable AFS (на вкладке EMSight опций Вашей EM Stuctures). Время на анализ вряд ли заметно увеличится, а графики будут красивее.

Спасибо за подсказки! Буду разбираться дальше.

Привет! Хотел выяснить некоторые моменты при проектировании сумматора/делителя мощности на основе бегущей волны. Такой сумматор представляет из себя следующую структуру:

Сначала пытался моделировать в EMSight, но там очень долго идет расчет. Поэтому пока что пробую в Схематике. Набросал такую схему:

Сразу же возникает вопрос по выбору правильных компонентов для структуры сумматора. С одной стороны вроде бы надо добавить еще элементов (типа MLIN и т.п.) на входе сумматора (порт 1), т.к. там почти только одни соединители. Но вот не знаю, какие именно надо элементы добавить и надо ли вообще…?
Вот такая структура получается:

Как видно, некоторые связи (красный цвет) Офису не нравятся. В чем может быть ошибка?

у вас две (на самом деле больше) ошибки, начнем с последней.
вы пытаетесь использовать крестообразное соединение вместо нужного вам,
но отсутствующего среди базовых элементов Офиса, какого-то Ш-образного.
естественно, Офису это не нравится, и результат его расчета не будет соответствовать действительности.

а главная ваша ошибка в том, что вы видимо полагаете, что разработчики EMSight придумали,
запрограммировали и используют только потому, что им некуда девать свободное время,
а не потому, что в ряде случаев, чтобы получить приемлемый по точности результат,
необходимо использовать ЕМ-анализ, и никакая схематика тут не поможет.

красный цвет - не ошибка, он означает отсутствие контакта в layout_е.
Предыдущий оратор прав насчет схематика, тут он не поможет.

Абсолютно неправильная схема. Расчет ее, как схемы, даст непредсказуемый результат. Но она получает правильную тополию (если правильно сопрячь элементы), поэтому топологию надо передать автоматом Axiem, и в нем делать полное EM моделирование.

А можно ли здесь правильно сопрячь элементы? Проблема ведь в том, как организовать вход. Здесь действительно нужен какой то Ш-образный элемент. Или хитрый отрезок линии с одним входом и тремя выходами. Таких элементов нет. Но схему действительно можно использовать для получения топологии, чтобы не рисовать её вручную. Такую же топологию можно получить и из другой схемы, может быть более простой без использования крестообразных и Т-сочленений. На входе использовать элемент связанных линий MNCLIN с тремя связанными линиями шириной W=2 и зазорами S=0. К нижнему выходному порту подключить первую выходную линию с изгибом, к двум верхним выходным портам подключить элемент с двумя связанными линиями с аналогичными параметрами и затем две выходные линии с изгибами. В топологии схемы на входе имеем три соприкасающихся проводника, к которым нужно организовать вход. Как это сделать? Мне кажется нужно просто создать ЕМ структуру (EMSight или AXIEM) и просто скопировать в неё топологию схемы. Затем объединить все соприкасающиеся проводники командой Union (один щелчок мыщки). В AXIEM, наверно будет считать быстрее. Как это передать автоматом не знаю. Использовать экстракцию, наверное, всё-таки сложнее.



Недавно отправил сообщение, как появилась идея создать схему, пригодную для схемного анализа, используя иерархию. Хотя и самому не очень верится. Возможный вариант схемы во вложенном файле. Покритикуйте, пожалуйста, я в тонкостях схемного анализа не очень разбираюсь.

- т.е. в Схематике нет такого элемента, который мог бы объединить несколько линий? Здесь я привел самый простой вариант, всего три выхода. На самом деле необходимо число выходов гораздо больше, возможно даже чуть более десяти...
- то, что в EM результат будет точнее про это я знаю, во всех пособиях написано, да и так понятно . Но всё-таки моделирование в нем занимает крайне много времени, особенно на не самых мощных машинах. Это еще куда ни шло, когда точно знаешь чего хочешь, но когда надо проделать несколько итераций, т.е. по сути провести предоптимизацию, то процесс растягивается на несколько дней и даже недель. Почти как в моем случае. Поэтому и решил сначала всё-таки попробовать в схематике получить более или менее приемлимую структуру (топологию), а потом уже ее моделировать в EM.
- поясните пожалуйста подробнее. Ведь контакт как мне кажется есть, т.к. имеется касание стенками крестообразных элементов, точнее самым нижним элементом и следующими за ним.

В кажром элементе есть порт, или несколько портов, и контакт
д.б. между портами; ширина портов д.б одинаковой, или
между ними вставить переход: ступень, крест, т-образный и т.д.

Я думаю, можно найти компромиссное решение (см. аттач). Дело в том, что и крестообразное соединение, и тройник, и скачек ширин, и повороты, а также иные неоднородности сами по себе не физичны и будут работать только при условии, что к ним подключены отрезки линий соответствующей ширины. В примере я условно привел 3 ширины - 1, 2 и 3 мм, на самом деле они, естественно, не делятся поровну - нужно считать.

В дополнение к тому, что я писал выше. Проверил работу схемы, которую я предложил во вложенном файле, правда с одним элементом MNCLIN с двумя связанными линиями. Выводы такие:
1. Незачем делать иерархию, то же самое получается в одной схеме.
2. При зазорах S=0 анализ не выполняется, но если сделать зазор очень маленьким (я делал S=1e-7), то анализ проходит и можно делать настройку.
3. Делал копию схемы, в которой устанавливал S=0 для создания топологии.
3. Создал ЕМ структуру в AXIEM, в которую копировал топологию схемы при разных настройках и после объединения проводников выполнял ЕМ анализ. Совпадение схемного и ЕМ анализа довольно удовлетворительное. Характер кривых совпадал не плохо, в основном был сдвиг по частоте, видимо из-за того, что в схеме не учтены неоднородности.
Так что схемный анализ и настройка возможны. Но схема, предложенная EUrry, видимо предпочтительнее для анализа. Однако возможны проблемы с топологией, придётся дорабатывать вручную.

нет такого элемента, категорически нет. единственный ваш выход - воспользоваться советом Потапова, убрать вообще нижнее на вашем рисунке крестообразное соединение для лучшего сопряжения элементов, и экспортировать топологию в программу ЕМ-анализа, которой и пользоваться для анализа.
схематикой вам воспользоваться не удастся.
результат ЕМ-анализа будет точным более или менее, а вот результат схематики, как правильно сказал м-р Потапов, в вашем случае будет совершенно непредсказуемым.
и не так всё плохо с ЕМ-анализом.
во первых, надеюсь, вы не забыли об опции AFS для EMSight - очень ускоряет расчеты.
во-вторых, вначале не делайте очень подробного разбиения топологии на ячейки. для первоначальных расчетов можно попробовать размер ячейки, равный одной трети ширины узкой линии.
а потом уже повышать точность, уменьшая размер ячейки.

Всем спасибо за живое обсуждение , буду пробовать предложенные варианты, потом отпишусь, что и как получилось. А также поищу что за опция AFS . До этого при расчете такой топологии я рисовал по сетке в EM, при этом сетка была довольно мелкая, шаг был равен 0,1мм. Понимаю, что из-за этого и были очень долгие расчеты, но такой сумматор планируется использовать в С-диапазоне, поэтому хотел нарисовать более точную топологию.

При этом, наверное, желательно учесть, что вход и выходы в топологии имеют разное волновое сопротивление, а при расчёте S-параметров в ЕМ порты считаются только 50-омными. И может быть воспользоваться советом м-ра Потапова использовать AXIEM. Обычно он считает быстрее, особенно если у процессора более одного ядра. К тому же неплохую точность даёт при сетке, размер ячеек которой равен ширине наименьшего проводника, а при половине этого размера точность достаточно высокая. Влияние корпуса при необходимости можно учесть в EMSight с окончательным вариантом топологии. Опция AFS в AXIEM включена по умолчанию.

Ну и что? S-параметры - всего лишь способ представления характеристик порта. Сами характеристики от способа представления не зависят.

А как учесть влияние нагрузок, которые будут подключены к портам? Я не знаю, какой будет конструкция этого устройства. Если предполагается к портам просто подключить 50-омные разъёмы, то их нужно подключить в референсных плоскостях, относительно которых рассчитывались S-параметры, чтобы сохранить характеристики. Но при разных сопротивлениях портов и нагрузок в широком диапазоне частот может быть недопустимая неравномерность из-за рассогласования. Конечно это будет видно на рассчитанных характеристиках. В таком случае придётся ставить какие то согласующие элементы или трансформаторы сопротивлений, и их будет желательно добавить в топологию, чтобы учесть при моделировании.

Здравствуйте.
Начинаю разбираться с MWO, пытаюсь помоделировать генератор на имеющемся BFR96, как описано тут
Импортировал spice model отсюда. Непонятно, правильно ли.
В итоге при запуске на анализ ругается, говорит Failed to find start-up conditions in the specified frequency range.

Тут на форуме что-то было, но не совсем в такой формулировке и без решения.

В аттаче проект.

Еще раз всем спасибо! Попробовал в модуле Axiem - действительно гораздо быстрее идет расчет, возможно даже в разы быстрее, вообщем, уже можно нормально моделировать. Осталось только до конца разобраться с самими сумматорами на бегущей волне, но уже в отдельной ветке.

А, косяк, забыл в одном месте землю подключить. Генерировать вроде начало, буду разбираться дальше.

Доброго всем времени суток.

Люди добрые подскажите пожалуйста, как смоделировать интермодуляционные искажения 3-го порядка на нелинейном сметителе, который есть в базовых элементах? Т.е как мне мне подать ему на вход две частоты (помимо гетеродина) и наблюдать рекомбинации 3-го порядка? Я пробовал, но к сожалению тот смеситель не понимает 3х частотного режима. В примерах в книге приводят подобный пример но на балансном диодном смесителе с ответвителем Ланге, а нет ли где в базе AWR такой готовой модели как NL_Mixer , но только чтобы он мог считать искажения 3-го порядка???? ( Когда помимо гетеродина на вход подаются 2 частоты близко расположенных друг к друг и на смесители возникают рекомбинации)

Заранее спасибо!

Всем привет. У меня довольно простой вопрос. Скорее даже по теории , а не по АВР .Тут у меня 2 простейшие схемы. одна просто соединяет 2 порта, а вторая - простейший делитель на 2 (без баластного резистора ). Вопрос в том, почему S11 параметр зависит (хоть и слабо) от длины L1, которую можно изменить с помощью TUNE. Ведь не зависимо от длины линии коэфф отражения должен быть одинаков(в номограмме бежим по кругу постоянного КСВ, т.е. по кругу постоянного S11). Заранее благодарен ).
В файле "1.bmp" нужно поменять расширения на "1.emp"

Видимо потому, что Т-разветвление имеет неоднородность, т.е. линия L1 нагружена не на чисто активное сопротивление, но и на небольшое реактивное сопротивление и поэтому её входной импеданс зависит от длины линии.

Спасибо за ответ ). Пусть даже импеданс на выходе линии L1 комплексный. Линия по идее все равно должна трансформировать его по кругу постоянного КСВ(постоянного коэф. отр-я). Там, кстати, кроме делителя.. есть просто отрезок линии параметры которого тоже немного плавают во время tune . Тангенс диэл потерь =0. Параметры плавают слабо, но все равно хочется разобраться с этой простой проблемкой.

Посмотрел Ваш проект - если речь идет о том, что имеется резонансный провал с -80 дб до -100 дб частота которого зависит от длины линии и пришел к выводу что это из-за ограниченной точности представления данных. Порядки величин наталкивают только на такую мысль. Учитывая что в жизни мне не приходилось видеть S11 лучше -40 дб и на частотах гораздо ниже чем 10 гигагерц, я не парюсь насчет того, что есть какой-то резонанс от -80 до -100 дб.


У Вас на графике - модуль S11, Смените тип графика на Smith chart, сделайте measurement типа complex и будет двигаться по кругу.

Да, это похоже на правду. А на диаграмме Смитта действительно двигается по кругу.

Для участка длинной линии у которого S11 очень низкий - это похоже на правду. Но вот в случае делителя резонанс тоже бегает.. и S11 имеет гораздо большую величину - это тоже из-за неточности представления данных? Вообще с делителем тоже отдельный вопрос... длина четверть-волнового (90 гр) участка линии L2 с Z=71 Ом(в этой схеме делителя именно ламбда/4 участки должны быть по теории), судя по TX line L2 =4.70108 мм, а ширина W2=0.898151 мм для частоты 9.8 ГГц. Если в АВР поставить такие участки, то получим S11 около -20 дБ. Именение L2 до 3.86 мм дает S11=35дБ. Различие между TXline и АВР смущает..

Это все можно пересчитать в ЕМ симуляторе.

различия результатов TxLine, AWR и ЕМ симулятора снова будут смущать.

С участком линии разобрались. Делитель в АВР смущает по 2 пунктам:
1) так же как и в случае ламбда на 4 - меняются S параметры от L1. Только тут s11 по виличине гораздо больше. При изменении L1 S11 меняется от -32 и ниже. Т.е. получается что бесполезно считать S11 с более высокой точностью, чем -32.
2) не стыкуется с TXline.
Насчет 2 пункта- тут либо я ошибся где-то, либо TXline не оч точная программа. Видимо второе.
Смутило . именно большое различие, а не сам факт различия

TX line L2 =4.7мм
AWR L2=3.86 мм
L2 по теории должен быть lambda/4

С ЕМ симулятором вопросов меньше было бы. Тут вполне может не совпать: что нибудь типа высших мод на стыке линий, излучение... Т.е. сомнений вызвало бы меньше . Наверно я слишком доморощенный. но просто хотел бы иметь более или менее ясную картину.

удалить

В общем более или менее с делителем разобрался.

А с чего Вы взяли, что волновое сопротивление отрезка линии независимо от частоты и равно 50 Ом? Это несимметричная полосковая линия, обладающая, во-первых, некоторой дисперсией, а во-вторых - в 50 Ом Вы всё-равно не попадете и будут проявляться резонансные свойства отрезка вкупе с 50-тиомными портами. Возьмите идеальную линию TLIN, вот там, наверное, зависимость уже наверняка обусловлена точностью, как говорилось выше. А в данном случае не вижу противоречий.

Как-то я сравнивал результаты калькуляторов AWR, Ansoft и еще каких-то,
так все показывали разное. В итоге считал в ЕМ симуляторе AWR.

Подскажите пожалуйста на счет двух моментов:
1. Как сделать экстракцию схемы их Схематика в EMSight? Примеры из Examples посмотрел, описание прочел, но ясности в этом не появилось...
2. Как в EMSight к топологии на МПЛ добавить пленочный резистор (ну или вообще резистор)? Я заходил в меню EM Structures--->Enclosure--->вкладка Material Definitions. Затем внизу этого кона - Impedance Definition--->Omega Ply и в столбце Res Sq. ставил 100. Это я так понимаю просто 100 Ом. но ведь это сопротивление на квадрат, как тогда привести к обычным Омам? И потом, ведь Res Sq относится к low frequency resistance. Елси я моделирую схему на высоких частотах, то может надо выбирать здесь Res F. которое относится к High frequency loss coeff-nt.?
Спасибо.

1) Не пробовал, не отвечу.
2) Размерность Ом/кв - это удельное поверхностное сопротивление квадрата резистивной пленки (от размера квадрата не зависит) - ρs = ρ/t, где ρ - удельное объемное сопротивление материала пленки, t - толщина пленки. Сопротивление пленочного резистора с прямоугольной топологией длиной L и шириной W: R = ρs*L/W. А Res F - это коэффициент, учитывающий частотную зависимость активного сопротивления пленки, в хелпе д. б. написано. На частотах 1-2 Ггц и, в принципе, даже несколько выше различий параметров тонко- и толстопленочных резисторов не наблюдал, так что можно не учитывать.

Ребята, подскажите, пожалуйста, как моделировать микрополосковые фильтры на многомодовых резонаторах? То есть я имею ввиду, как сделать, чтобы офис учел несколько мод волн?

Посмотрите в пособии Основы моделирования в Microwave Office 2009.

Что-то не припомню, чтобы можно было учеть многомодовость в схематике, да и на таковую возможность в EM тоже есть сомнения. За достоверность не ручаюсь, но по-моему MWO Вам не помощник, надо смотреть в сторону пакетов полного электромагнитного моделирования. Но м. б. меня поправят, сам буду благодарен за просвещение, если таковая возможность в MWO есть.

EUrry, спасибо. Т.е. если мне надо ввести в схему резистор с сопротивлением R=50 (Ом), то я задаю сопротивление квадрата, например Rкв = 100 (Ом/кв), и подбирая размеры резистивной пленки (длина и ширина), подгоняю под нужное мне изначально значение R=50 (Ом)?

Скорее, наоборот - задаете топологию и вычисляете необходимое поверхностное сопротивление. Не забывайте, что диапазон возможных значений поверхностного сопротивления ограничен технологически. Поэтому, задача, в принципе, должна решаться с обеих сторон - и с т. з. оптимальной топологии и с т. з. технологического обеспечения. Про расчет тонкопленочных резисторов ГИС можете посмотреть, например, Конструирование и технология микросхем - Коледов.

На практике я с подобными фильтрами не сталкивался. Ради интереса взял топологию двухмодового фильтра на открытой плате из статьи Б.А. Беляев, И.А. Довбыш и др. "Частотно-селективные свойства микрополоскового фильтра на нерегулярных двухмодовых резонаторах" в журнале Радиотехника и элктроника, 2010, том 55, №6, стр. 664-669. К сожалению электронной версии этой статьи у меня нет, но можно найти в библиотеках. Для анализа использовал симуляторы AXIEM (на открытой плате), EMSight (в корпусе без крышки) и Sonnet (в корпусе с крышкой). Проект во вложенном файле. Результаты неплохо совпадают с результатами, опубликованными в упомянутой статье. Результаты EMSight и Sonnet совпадают и немного сдвинуты вверх по частоте. Это из-за того, что резонаторы несколько короче, т.к. расстояние до земли меньше на толщину подложки. Получается, что в AWR такие фильтры моделировать можно. Проблема в том, как найти первое приближение для ЕМ. Схематик здесь не поможет. К тому же надо учесть, что Er подложки для таких фильтров должна быть не менее определённой величины, которая зависит от ширины полосы пропускания и центральной частоты. Единственная программа, которая может синтезировать такие фильтр и о которой я слышал - Filtex 32, разработанная в Красноярском институте физики им. Кириенко СО РАН.

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста как задать элемент схемы, который зависит от переменного напряжения?
И еще у меня проблема по нелинейному моделированию: не удается воспроизвести ВАХи по эквивалентной схеме транзистора? Может быть кто-то сталкивался с такой проблемой?

Если имеется в виду нелинейный источник тока, то sources -> dependent -> nonlinear и выбираете какой требуется для вашей задачи. По поводу эквивалентной схемы - может быть она у Вас в принципе линейная (то есть нелинейных элементов нету), если так то вам не удастся всопроизвести ВАХ. Можно еще готовыми нелинейными моделями воспользоватся (TOM, Angelov и т.п.), чтобы ВАХ смоделировать.

Я имею ввиду что у меня допустим емкость меняется с изменением напряжения. Вот как эту зависимость для емкости задать?
А вообще нелинейные элементы формулами надо задавать или есть еще какой-нибудь способ? Заранее спасибо!