Самый универсальный теоретический метод это построение карты нулей и полюсов отклика цепи в любой точке усилителя. Я себе это представляю так (сам я этого не делал) - берем малый сигнал возмущения, ставим его в любую точку усилителя где нас интересует вопрос стабильности, находим отклик. Затем по полученному отклику находим нули и полюса (самый сложный момент) и анализируем полученное.

Что в принципе и реализовано в некоторых программах (не реклама):
https://www.maurymw.com/pdf/datasheets/5A-054.pdf

Так это же load-pull измерения - всё это есть в скрипте

Выглядит вот так, стоит мульён деревянных (прецезионный штангенциркуль )

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Столкнулся с проблемой в EM-моделировании. При обычном моделировании S12,S13=-6, -7 дБм. При переходе к EM всё это дело падает в -70, -80 дбм, хотя как я понял изменения должны быть небольшими.
Прикладываю проект этого дела, может кто посмотрит, объяснит, что я сделал не так...

У Вас в ЕМ структуре физически разрыв между микрополосками (резисторов нет). Переключитесь в режим 3D, сразу увидите. Т.к. "Материал не определён" для резисторов (правый клик/свойства) по резисторам. Нужно либо назначить им свойства, либо ставить порты в разрыве и собирать это дело в Схематике.

Скорее всего какие то ошибки в выборе материалов в Options/Drawing Layers. Вы сделали много разных топологий на вкладке Layout видимо для назначения резисторам и конденсаторам, однако используете только одну топологию. Но и в ней похоже что-то не так. И слоёв добавлено довольно много, но они похоже не работают. А вообще задача довольно интересная, надо будет повозиться при случае.
p.s. А в 3-D резисторы и конденсаторы могут и не отображаться даже при успешной экстракции если не установлены соответствующие опции для 3-D отображения. Но в Вашем случае действительно имеются разрывы.

В v13 обнаружилась проблема с установкой компонентов из Library/Data (в браузере элементов папка Data):
ошибка инициализации "Element named xxxx could not be located".
Если делать импорт дата-файла оттуда же, все ОК.
М. б., нужно что-то где-то прописать? В 12й такого не было.

Давно я не занимался экстракцией и эта схема меня заинтересовала. Сегодня между делом попробовал один вариант. Результаты схемного моделирования отличаются от ЕМ анализа в основном для элементов отрезков линий MLIN, т.к. схемный анализ не учитывает особенностей тока в микрополосках и краевые эффекты. Сегодня между делом попробовал один вариант, в котором извлекаются только отрезки линий между сосредоточенными элементами. Для этого нужны несколько элементов Extract. Сосредоточенные элементы Вы наверняка используете покупные, которые вряд ли окажут заметное влияние на характеристики. При этом сначала извлекаются ЕМ структуры и выполняется их ЕМ анализ. Затем анализируется схема, в которую ЕМ структуры вставляются как подсхемы. Схема при этом выглядит следующим образом:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
И на всякий случай выкладываю проект, в котором можно посмотреть все установки.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Наверное можно извлечь вообще все элементы, но для этого желательно знать все параметры резисторов и емкостей. Хотя можно попытаться и подобрать что нибудь эквивалентное.

Метод с Gamma Probe попробовал, спасибо! Но он для линейного анализа. А как посмотреть устойчивость с учетом входной мощности? Это возможно только через сторонние программы?

Методов довольно много, я бы рекомендовал посмотреть в книжку "Stability analysis of nonlinear microwave circuits", Raymond Quere. Но обычно стараются эту нестабильность устранить, введя какие-нибудь цепи с потерями, а не замоделировать. Моделировать неустойчивость, это задача для университетов, т.к. разобраться что там и как, это очень много времени надо.

Я лично использовал метод closed-loop (лет 8 назад), для усилителя мощности со сложением мощности от нескольких выходных транзисторов. Но там необходимо было иметь доступ к внутреннему источнику тока транзистора, т.е. к модели. Приложил статью о методе без использования модели.

Так или иначе, почти всегда все сводится к построению некой передаточной функции и анализе ее карты нулей и полюсов (для разной входной мощности).

Попробуйте запросить демо-версию программы STAN.

Уважаемые коллеги! Интересует следующий вопрос. Есть ли в AWR возможность моделирования лазеров и фотодиодов, наряду с малошумящими и трансимпедансными усилителями? В качестве примера схема




Если такой возможности нет, то где(в чём) это лучше сделать?

Добрый день, Господа! Продолжаю потихоньку осваивать AWR, вследствие чего возникли следующие вопросы:
1) Можно ли настроить размер "комнаты" при EM-моделировании? Как и где это сделать?
2) Допустим я смоделировал микрополосковый фильтр у которого в нужной мне полосе затухания сигнал глушится например на -50--500дБм. При EM-моделировании всё это дело обрезается на уровне -70--75дБм...
Вот пытаюсь понять из-за чего это? (сигнал просто просачивается через воздух или есть какойто физический предел??) Как это дело преодолеть? Может я что то не так делаю?
Кинул пример в архиве
3) В Wiz-е iFilter можно доверять при портировании схемой в сам AWR? При моделировании полосовых фильтров при уменьшении полосы сильно проседает по мощности опорный сигнал хотя в самом iFilter просадок естественно нет

Из Вашего примера я не понял, что собственно Вам нужно, ФНЧ? Если да, напишите, какую полосу пропускания, нужно получить, какой диапазон подавления и какой уровень подавления желателен.
Отключите экстракцию и посмотрите чисто схемный анализ. У Вас в схеме выполняется оптимизация и во всех целях оптимизации сделана установка меньше заданной величины, хотя в полосе пропускания нужно устанавливать больше. Установленные цели в графике схемы в общем выполняются, кроме верхнего диапазона, где вносимые потери уменьшаются. И оптимизация здесь не поможет. Просто полоса заграждения ФНЧ не может продолжаться до бесконечности и с некоторой частоты начинается новая полоса пропускания. Но диапазон заграждения можно увеличить, добавив несколько шлейфов, которые могут подавить более высокие частоты (ну или сделать два ФНЧ, один на частоты более низкие, другой - на более высокие).
iFilter синтезирует схему, используя имеющиеся формулы. Поэтому он выполняется быстро, но точность может быть не высокой. Полученная в схеме топология вставляется в создаваемую ЕМ структуру, анализ которой выполняется с очень высокой точностью. Для такого перехода не обязательно использовать экстракцию. ЕМ структуру приходится редактировать, но в последних версиях можно выполнять и оптимизацию непосредственно ЕМ структуры, а не схемы. Но это процесс довольно длительный.
А что Вы имеете ввиду под "комнатой"? И какая у Вас версия?
Успехов.

Итак!):
1) Задача просто научиться считать любые полосковые фильтры с помощью данной среды, ну и конечно хочется добиться большого затухания в разумных пределах частот*)
2) Оптимизацию я не выполнял (сам свипированием всё настроил), а Goals-ы для себя, скажем так, отрисовал....
3) Так и делал. В схеме параметр y1=0.34 как раз покрывал верхний диапазон. Для простоты выслылал проект только на одну частоту
Суть проблемы в том, что при переходе из обычного схемного анализа в EM (который в намного большей степени отражает реальность), какой бы фильтр я не делал (пробовал разные конфигурации и ФНЧ и ПЧ итд), затухание, которого я смог достичь=-50-75 дБм, в то время как в схемном анализе на той же схеме оно может стремиться к -134567193457861345 дБм.
Вот я и пытаюсь понять почему так режется это дело? Если смотреть на примере, то в схемном анализе самая нижняя точка <-230дБМ, а в EM-е всё режется на уровне =-70 (вроде как).
Можно ли преодолеть "человеческий предел" и в EM спуститься до тех же -230+дБм или нельзя? Пытаюсь понять, кривые ли мои руки этому мешают, или есть какое-то физическое ограничение, которое учитывается в EM, но не учитывается в схемном анализе.
4) про iFilter просто пытался понять, у всех ли он работает с такими допущениями, или только у меня какая-то кривая версия проги стоит. Да и с оптимизацией в самой EM уже столкнулся, но впечатления не очень - долго и как-то кривовато оптимизирует - 1 прогон за 2.7 минуты (на моём "так себе" компе), и к 400 прогону ничего красивого так и не дооптимизировал*( хотя опять же может дело в руках...
5) Версия 12.02.7670.
Когда переключаешься из схемного анализа в EM, если смотреть EM в 3Д виде, то вокруг схемы создаётся пространство=комната. Высота над схемой задаётся толщиной "воздуха" в "STACKUP", а вот чему равна длина/ширина этой "комнаты" (которая в моём случае создаётся автоматически, подстраиваясь под габариты самой схемы) я не знаю. Если бы параметры стенок и крышки комнаты были бы открытыми то всё ок, но я считаю что у меня всё в экране - и по бокам, и сверху. Следовательно всё считается с дополнительными переотражениями от стенок и крышки, из-за чего размеры данной комнаты становятся значимыми (опять же как я понял...).
Вот как мне плату делать со схемой, если я знаю параметры схемы, но не знаю габаритных размеров самой платы?

Окружить модель стенкой из сквозных перемычек. Но и это не всегда совпадает с полученным результатом.

В AWRDE есть два решающих устройства: AXIEM И EMSight. В AXIEM анализ выполняется на бесконечной плате без всяких боковых и верхней крышки. Ослабление в полосах заграждения действительно ограничивается порядком примерно -50 -70 дБм. Возможно из-за того, что резонаторы ещё и излучают. Для более точного анализа при достаточно сильных связях между резонаторами лучше считать с учётом толщины проводника. Это увеличивает время анализа, но результат получается более точным за счёт учёта краевых эффектов. Конечно можно в AXIEM создать и боковые и верхнюю стенки (создать комнату) для учёта влияния корпуса. Но в этом случае время анализа увеличивается многократно, видимо потому, что сетка встраивается не только в проводники резонаторов, но и в стенки. В этом случае лучше использовать EMSight, в котором корпус создаётся автоматически, нужно только определить его размеры. Боковые стенки всегда идеальные, а верхняя может быть металлом или свободным пространством. Недостаток EMSight в том, что у него только прямоугольная сетка и толщину проводников можно учесть только приблизительно. А ещё лучше использовать Sonnet. Он считает так же, как и EMSight, но гораздо быстрее, т.к. использует все ядра имеющихся процессоров. Но с 12-ой версией Sonnet не взаимодействует, поэтому я её посмотрел, особых преимуществ не увидел и снёс. Предпочитаю 11-ю.
На картинке пример сравнения характеристик фильтра расчётной в AXIEM с толщиной проводника 4 микрон и измеренной.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

1) Спасибо за ответ! А, если я спроектирую фильтр опустившись в нижнее ограничение -70 дБм, заэкранирую его... Потом соберу два таких экранированных фильтра и последовательно соединю, то затухание так и останется в -70 или станет -140дБм? Как я понимаю должно стать -140, но чем чёрт не шутит)
2) Я настраиваю толщину меди в элементе SUB+в элементе "STACKUP" или нужно гдето ещё галочку под это дело ставить?
3) Ну вот я в элементе "STACKUP" и настраиваю параметры Top Boundary, Bottom Boundary, Side Boundary на медь создавая тем самым экран вокруг фильтра, поэтому и пытаюсь найти размеры ширины, длины получившейся комнаты чтобы с точностью произвести плату и экран к ней или я чтото не так делаю?

На 2 и 3. Если используется вычислитель AXIEM, то ему, мягко выражаясь, наплевать, что Вы там определили в STACKUP. Щёлкните правой кнопкой мышки по имени ЕМ структуры в левом окне просмотра проекта и выберите Options. Откройте вкладку Mesh и посмотрите, в этом окне отмечено Model as Zero Thickness (модель как нулевая толщина). Откройте 3-х мерное отображение и убедитесь, что никакой толщины у проводников нет. Заданная толщина используется только для примерного определения потерь по приближённым формулам (которые Вам не нравятся) без учёта краевых эффектов. Кроме того нет никаких боковых и верхней стенок. их можно создать только в топологии ЕМ структуры и уже этим стенкам присвоить определённые материалы. А то что в 3-х мерном отображении показывается какой то корпус, так это тольно для удобства отображения.
На 1. Да, крутизну скатов можно увеличить в два раза (ну или примерно в два раза, это может зависеть от ширины полосы пропускания). Для этого нужно соединить два одинаковых фильтра на небольшом расстоянии и установить между ними аттенюатор с ослаблением 2-3 дБ. Потери в полосе увеличатся на эту величину, но крутизна вырастит значительно. Мы иногда это используем.
На картинке характеристика одного и двух фильтров с аттенюатором между ними примерно 2.5 дБ.
Почемуто загрузились сразу три одинаковых картинки, а как удалить лишние, я не знаю.

1) Спасибо! Да в Axieme всё делаю, EMSight при шаге сетки менее 0.1мм у меня залагивает и отмирает, Sonnet пока не подключал, не тестил... Не плохо так график сдвинулся когда толщину стал учитывать...
2) Случайно обнаружил - если в EM-е перейти обратно из Layout в схему появится "хрень" как на приложенном рисунке и тут появляются отличия от "обычного" схематика:
а-в элементе STACKUP, во вкладке "слои диэлектриков", по сравнению с тем же элементом находящимся в "обычном" схематике отсутствует параметр Side Boundary, что видимо лишний раз доказывает ваши слова о том что Axiem представляет плату бесконечностью, попробовал Side Boundary менять с меди на воздух - ничего не поменялось (жаль*((), а вот с тем что Axiem игнорирует верхнюю крышку вы ошиблись т.к. меняя параметр Top Boundary с открытого на крышку и меняя разные толщины воздуха мы получаем, что результатам моделирования почти плевать на изменения толщин воздуха при отсутствии крышки (что логично), а в случае наличии крышки и различных толщинах воздуха результат неплохо плавает+при уменьшении толщины воздуха минимальная планка затухания(то о чём я ранее спрашивал) поднимается - 8мм воздух затухание -70дБм; 1мм воздух -40дБм, если исходить из того что Axiem считает переотражения от крышки то всё сходится.
б-элемент ENCLOSURE который как раз и задаёт длину и ширину комнаты в 3д ЕМ-виде, и к сожалению он и правда ни за что не отвечает так как вручную его параметры не меняй в конечном итоге ничего не изменится... чтобы посчитать с экраном придётся самому переходными его рисовать как и говорил многоуважаемый K0nstantin. Правда что из этого получится непонятно...
3) Не очень понимаю физический процесс в данном случае... Вы итоговый фильтр на анализаторе мерили? а при выпайке аттенюатора и соединении перемычкой всё шло "коту под хвост"? Вы это моделировали двумя
EM-структурами соединёнными элементом с s2p параметром? Ибо если так, то мне кажется от аттенюатора можно и избавится...

На 1. В отличие от AXIEM в EMSight ЕМ структура должна точно совпадать с сеткой, а порты должны находиться точно на боковых стенка. Проверьте, соблюдается ли это у Вас. Кроме того есть ряд условий, при которых ЕМ структура не извлекается совсем, или извлекается не точно. Например, если извлекается П-образная топология, то длина плеч должна быть одинакова. Иначе боковая стенка будет создана по краю более длинного проводника и на нём будет установлен порт. А вот короткий не достигнет стенки и на нём второй порт будет установлен как порт перемычка.
На 2. Насколько я понял, Вы получили схему из ЕМ структуры. В AXIEM действительно это можно сделать и это может быть полезно. В этом случае можно выполнить оптимизацию ЕМ структуры непосредственно. Однако это процесс обычно довольно долгий. А что касается разных стенок в AXIEM, то я только написал, что их можно создать, причём любые. Можно и верхнюю и боковые вместе, можно только верхнюю (она при это буде бесконечной), можно только боковые (можно две, а можно и одну) вместе с верхней крышкой или без.
На 3. Фильтр был создан и проанализирован в MWO. Затем были сделаны опытные образцы и измерены на анализаторе, на котором получен файл s2p и добавлен в проект.
А вообще я занимаюсь экстракцией очень редко. Попробуйте отредактировать структуру, если она извлечена из схемы. Не получится, т.к. ЕМ структура тесно связана со схемой и при запуске анализа будет выполняться анализ схемы и будет извлекаться та же топология. Т.е. редактировать нужно не ЕМ структуру, а элементы схемы, чтобы получить нужную топологию структуры. К тому же элементы топологи схемы могут "разбегаться" и в таком виде будут извлечены, поэтому их нужно правильно соединить до выполнения экстракции. Предпочитаю просто создать новую ЕМ структуру, скопировать топологию схемы и вставить её в ЕМ структуру, чтобы разорвать эту связь. Ну или скопировать извлечённую структуру, переименовать и разорвать связь со схемой, чтобы редактировать независимо от схемы.

Добрый день.
Подскажите пожалуйста как подключить модуль Sonnet (или другого EM-симулятора) в AWR?

А какая у Вас версия AWR? Если 11-я то при установке Sonnet она обычно подключается автоматически. Если 13-я, то сложнее, у меня подключить не удалось. В перечне симуляторов Sonnet есть, даже в двух местах, но при попытки назначить его для анализа, говорит, что такого симулятора он не знает.

Строго по мануалу Sonnet устанавливали?

NI AWR MWOffice Interface – 64 bit (16.54 or later)
или
NI AWR MWOffice Interface – 32 Bit (16.52 or earlier)

Связка Sonnet 16.54 64 bit + AWR 13.03 64 bit работает.


Вижу вы на сапфире делаете. Это монокристалл? Можно поинтересоваться у кого заказываете (желательно несколько источников)? У вас есть результаты измерений фильтра в корпусе на подвешенной подложке?

Мы используем AVRDE v11 и Sonnet v16.52, это последняя версия, на которую у нас есть лицензия.
Сапфир монокристалл, единственный поставщик предприятие "Монокристалл" в Ставрополе, их координаты можно найти в интернете. Приобретаем пластины толщиной 0.3 мм. Фильтры делаем по полосе с некоторым запасом и изготавливаем по технологии, обеспечивающей микронную точность. При этом фильтры не требуют настройки. Это упрощает настройку многоканальных приборов. Делаем только на микрополоске.

Спасибо за литературу. Там нашел только как установить модуль Sonnet, а как его связать с AWR - не нашел. У меня Sonnet уже был установлен до AWR, как - не могу сказать. Версия - 15.52, а у AWR - 13.

Stefan1
Так 10 раз уже писали, что для работы с AWR 13.0 нужен Sonnet 16.54. Это можно и на сайте Sonnet посмотреть. Ставьте 11 версию AWR.

Я согласен с freeport, ставьте AWR-11. Но обратите внимание, у 11-ой версии есть три варианта. Ставьте тот, который mixed (смешанная), у ней интерфейс 32 бит, а AXIEM - 64 бит. Эта версия хорошо работает и с Sonnet 15.52 и с 16.52.

Спасибо за совет. А почему бы не поставить Sonnet 16.54 и оставить AWR 13.0?

Возможно немного офф. Вижу измерения фильтра на 17 ГГц, причем расчет с экспериментом хорошо совпадает - это с подстройкой или без? Не подскажите, по какой оси делается срез кристалла и какие проницаемости брать по кристаллографическим осям?

Так поставьте, если у вас есть Sonnet 16.54, все будет работать. У меня его нет.

Это без подстройки. Er берём 10 (по всем осям). По какой оси режут не знаю, но параметры в разных партиях пластин практически одинаковые. Полосу пропускания делаем с небольшим запасом, примерно 100 МГц на высоких частотах. При этом подстройка как правило не требуется, если фильтр смоделирован с учётом толщины проводника и топология выполнена с микронной точностью. Подстройка обычно делается при узких полосах, порядка нескольких процентов.

Отличный результат. По поликору, в отличии от сапфира, сложно добиться повторяемости, чаще только внутри одной партии. И очень похоже, что основная проблема не в допуске на толщину и чистоту, а в неоднородности поликристаллизации. Кто же подтвердит важность учета анизотропии, даже в таких материалах как FR4 и RO4000, как на видео у Sonnet?

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Доброго времени суток.

Посоветуйте литературу или ссылочки где можно прочитать про расчет усилителя в AWR. Нужно согласовать вход и выход транзистора на ВЧ и посмотреть усиление и мощу на выходе. Какой смысл в Biastee? И где посчитать согласующие цепи?

Всем привет. Помогите найти ответ на глупый вопрос, как в данном софте настроить линии установку микрополосковой линии не по ширине полоска, а по волновому сопротивлению? Заранее благодарен.

TXline. Вспомогательная програмулька к AWR в комплекте идёт.


Начать можно с этого: Резервиг, Потапов "Проектирование СВЧ-устройств с помощью Microwave office"

Не, немного не это имел в виду. В некоторых примерах видел, что в параметрах линии указывается не ширина, а волновое сопротивление. Вот и хотел узнать, как можно режим переключить?

никак.
вам надо на вкладке Elements выбрать в пункте Trasmission lines нужный вам элемент
и использовать его вместо микрополосковой линии.
при этом вам надо будет рассчитать эффективную диэлектрическую проницаемость с помощью TxLine.

если затрудняетесь в выборе нужного элемента, есть другой способ.
откройте свой проект.
запустите AWRDE еще раз - откроется еще одно окно.
в этом окне откройте ваш Example.
выделите в Schematic понравившийся элемент (или кусок схемы с ним), скопируйте (Cntrl -C).
В первом окне AWRDE в Schematic вашего проекта вставьте скопированное (Cntrl -V).
отредактируйте переметры элементов, как вам надо.
вуаля.

книжку почитайте, рекомендованную вам выше.

Про поликор. Я сегодня для себя сделал печальное открытие, почитал внимательно ТУ на поликор. Итого: поликор ПК2 с толщиной 0,25 имеет допуск от 0 до -0,05. Тоесть когда вы берёте поликор 0,25, то он спокойно может быть и 0,2. Всё в допуске.

В группе Wizards есть мастер синтеза iMatch согласующих цепей на входе и на выходе устройств. Правда я не занимался этим, тонкостей не знаю. Но можно почитать в руководстве пользователя глава Wizards>Impedance Matching Wizard (iMatch).

Здравствуйте, товарищи!
Вопрос по поводу оптимизации в AWR. Как сделать так чтобы программа оптимизировала заданные параметры исключительно с определённым шагом? На первом скрине вы можете видеть что я задал цель оптимизации для простейшего фильтра и пару переменных. Ввёл для них ограничения и шаг. Но на втором скрине (после оптимизации) видно что параметры она подобрала хоть и в заданных пределах, но совсем не кратно заданному шагу. Как это исправить?
Нажмите для просмотра прикрепленного файла Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Скорее всего это максимальный шаг изменения. Минимальный ничем не ограничен. Нужно уточнить в HELP. Иначе оптимизация будет плохо сходиться в сложных проектах. Округлить до приемлемой точности всегда можно тюнером или вручную и оценить при этом изменение характеристик. Не думаю, что будет особо критично во многих случаях.

Оптимизацию с заданным шагом можно выполнить, используя дискретную оптимизацию, т.е. параметр определить в виде вектора, например C=stepped(0.1,500,0.1). Но я согласен с EUrry, лучше использовать обычную оптимизацию. К тому же дискретную не все оптимизаторы поддерживают. И ещё. Не стоит давать большие пределы изменения значения переменной, можно получить локальный минимум. Лучше сначала подстроить тюнером, а потом уточнить оптимизацией.

Действительно, мельком глянул хэлп и попробовал локальный дискретный поиск. Он делает всё как надо. Никто не знает, есть где-то русскоязычное описание всех алгоритмов оптимизации в awr?
А вот по поводу того что лучше поиграть вначале руками с параметрами, не соглашусь. Я работаю с цепями согласования, в которых очень много переменных. Зависимость конечного результата от этих переменных далеко не всегда очевидна когда меняешь их по одному. Таким образом, можно бесконечно тыкать что-нибудь и ничего не добиться. А оптимизация в принципе даёт удобоворимые результаты. Только мне не нравится что она тратит процессорное время на рассмотрение кучи вариантов, которые физически не реализуемы из-за небесконечности рядов номиналов элементов или из-за того, что не бывает у катушки 0,3236 витка например. А время на оптимизацию тратится порой много.
P.S. И разве оптимизаторы не должны искать глобальный минимум, а не локальный?

Про дискретный шаг оптимизатора вопрос понятен. Но на витки можно ведь поставить пределы, например от 1,0 витка.

У меня вопрос по ручному тюнеру. Можно ли как-то увеличить количество отражаемых ползунков? А то монитор широкоформатный, места хватает, а ползунков от силы штук 20 отображается. Хотя галки на тюнинг стоят у гораздо большего числа переменных.

Мне русскоязычного описания не попадалось.
Что касается поиска глобального или локального минимума, то это зависит от выбранного метода оптимизации. Например метод Random (Local), который рекомендуется для большого количества переменных (если я правильно понял в хелпе) может найти ближайший локальный минимум.
Оптимизатор Pointer, который на Ваших картинках, если не ошибаюсь, иногда имеет свойство "блуждать" возле минимума. Но он имеет свойство обучения для конкретного вида схемы, что позволяет ему успешнее работать с таким типом схем.

Да легко! Ну, если уж, не 0,3236, но 0,3 или 0,5.

Может кто-то сталкивался. Иногда требуется, что бы два или более элементов в тюнере (ползунками) менялись одновременно (как бы в паре или группе). Можно ли это как-то реализовать?

Это вряд ли. Если нужно одновременно настраивать один и тот же параметр в разных элементах, нужно этому параметру в элементах присвоить одну и ту же переменную.

Народ, а как AWR делает замер VSWR (КСВН по нашему)? Меня напрягает тот факт что даже в нелинейных цепях типа усилительных каскадов у меня кривая VSWR на входном и на выходном порте не зависит от мощности. Никак. Вот вообще никак. Хотя логично предположить что с постепенным раскачиванием транзюка его выходной импеданс будет меняться и от порта 2 будет отражаться несколько иная мощность чем ранее, разве нет?

Добрый день. Поставил AWR на новую систему, запускаю старые проекты выдает ошибку. Как побороть?

В левом окне в верхнем списке попробуйте отметить MWO-228. У меня при этом открываются даже очень старые проекты. А какая у Вас версия и какая система. У меня win10.