В MWO есть 2 примера по копланарным линиям (не ЕМ). Скажите, а зачем ВАМ примеры ЕМ? Ведь там все аналогично МПЛ - рисуй себе, да считай топологию какую надо. Задайте конкретный вопрос, что вас интересует в ЕМ-моделировании копланарных линий, может помогу чем смогу.

Вопрос: как реализовать в MWO модель диэлектрического резонатора, связанного с двумя параллельными микрополосковыми линиями (см. рис.), и, чтоб можно было в модели варьировать расстояние от резонатора до МПЛ? Исходные данные: резонансная частота и собственная добротность ДР.
З.Ы.: В экзампле смотрел - не подходит, там вообще модель резонатора находится непосредственно в МПЛ.

Никак. Как правило для симуляции используется простая модель из RLC контура с двумя трансформаторами. Переменные для симуляции - их коэф. связи. Затем, уже зная оные, проводится Full 3D симуляция топологии самого ДР плюс линий для достижения аналогичной связи.
Хотя, встречается и вот такая достаточно любопытная модель на основе Eqn многополюсника, правда, только для просто ДР рядом с одной линией:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Нужно широкополосно согласовать комплексную нагрузку с 50-омной линией. Думал сделать на переходах по ширине (CPWTAPER), но оказалось, что они не заземлены (CPWTAPER does not use the following CPW_SUB parameters: Hcover, Cover, Gnd,...). Поэтому остается ЕМ-моделирование. Но описания и примеров в литературе и в Example нет.

Описания чего нет? Самих таперов или способов их симуляции на CPW? Если второе, то единственная трудность (громко сказано) - это задание портов. Посмотрите здесь. Что Sonnet, что МВО - без разницы.
Вы бы лучше что-нить наваяли, да выложили сюда, вот народ бы и подсказал-бы..

Что значит "не заземлены"? Ставишь на подложке CPW_SUB параметр Gnd=1 и все заземлено (означает, что снизу подложки земля). Или я что-то не понял? EVS правильно говорит, что выложите вашу схемку или что там у вас, либо подробней что не получается? Это MWO у вас ошибку такую "CPWTAPER does not use..." выдал или вы это вычитали где-то?

Кстати, по поводу подложки CPW_SUB можете в Element Help почитать, там все хорошо написано по поводу Gnd, Cover и т.д.

Это в хелпе на тапер написано. Он не использует этот параметр CPW_SUB.
P.S. Я еще ни разу не рисовал в EMSight ничего, так что мне сложно сообразить что к чему. Структура Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Нет ли у кого хелпа mwo_dev.chm ? Очень нужно.

А вот еще проблема. Есть параметризованный схематик, т.е.его S-параметры зависят от величины формального параметра. Хочется уметь присвоить этому параметру значение, равное например среднему по времени напряжению в какой-то точке. Т.е. хочется, например, организовать зависимость S-параметров от напряжения смещения.
Как это сделать?

Для такой зависимости надо иметь нелинейную модель активного элемента. На мой взгляд такую зависимость не реализовать без дополнительных данных по S-параметрам.

А более конкретно? Можно ведь на поле схемы уравнения записывать, аналогично, как в Output Equations, но это банально и Вы, вероятно, пробовали так уже. Жаль, что выражения из Output Equations не доступны, как глобальные, потому как были некоторые идеи в других задачах, но успешно провалились из-за этого.

Столкнулись с проблемой. При создании нового проекта в EM structure в меню Select Simulator -> AWR EMSight Simulator - нактивна From Stackup. Вопрос нужен ли выбор в данном случае From Stackup и что это такое ? И еще. В EM structure почемуто не активен выбор порта Via Port ? Прога ломанная AWR 2009 v. 8.0.4215, вот думаем может дело в лицензии ? В предыдущей версии v.7 все работало, по крайней мере ограничений никаких замечено не было.

А у Вас в проекте существует элемент Via (Layout>Via/Conductor)? Без Via элемента порт подсвечиваться не будет.

Ага, прочитал про тапер, действительно не использует Gnd. Ну тогда ЕМ-моделирование спасет)) Изучай екзамплы на микрострипы, аналогично делай копланар.

Конечно же существует элемент Via в проекте. В 7-ой версии AWR она ксати была необязательна. У меня там же речь еще об одной которая так же не активна.

В панели выбираете Layout в нем Via и кнопка Via-port становится активной. Почему так задается я не знаю, возможно глюк "лицензии" (причем получается только квадратный/прямоугольный порт).
А на счет не активной From Stacup - у Вас должен быть задан хотя бы один блок Stacup в Global Definitions.

Вот все тоже самое делаю, ну неактивен этот элемент, и все тут. Если вас не затруднит вышлите пожалуйста ваш кряк для AWR.

Помогите новичку! Нужна последовательность действий по расчету в МО микрополоскового перехода со слоя на слой в МПП через переходное отверстие.
Хорошо бы, какой нибудь файл с примером перехода, на базе которого, меняя параметры, можно получить результат. Заранее благодарю...
ЗЫ: в МО ранее не работал

Есть набор измеренных S-параметров, измеренных при разных напряжениях смещения, в виде mdf-файла. Т.е. у этого mdf-файла есть формальный параметр - напряжение смещения. Хочется создать схематик, в котором автоматически выбиралось-задавалось бы нужное значение этого параметра в зависимости от электрического режима на входе схематика. Конечно, можно было бы пытаться строить нелинейную модель, аппроксимрующую этот набор S-параметров, но там есть свои сложности и проблемы. Поэтому пока вот хочу обойтись mdf-файлом с прикрученной к нему автоматизацией.

Данный вопрос уже обсужался в этом топике там же выложен и пример.


А если попробовать создать Ваш элемент как XML-библиотека? В качестве примера приведен только резистор, но так же можно создавать и активные элементы.

Инфа хорошая, но наверно я не понял вашу мысль. Вопрос в том как передать информацию об электрическом состоянии одного из выводов схематика в mdf файл. Я не смог увидеть в вашем примере, как это сделать. Может вы можете растолковать поподробнее.

Видеоуроки с сайта awr.tv на http://www.bit2bit.ru/915734. На английском.

скорей всего это я не понял Ваш вопрос: я думал что у Вас есть набор характеристик и Вам нужно их запихнуть в схематик для выбора нужной для соответствующего режима работы. А оказалось наоборот. Правильно? И чтоб не набирать это все ручками Вы хотите этот процесс автоматизировать?

Если все же нужен автоматизированный процесс, то боюсь что это будет затруднительно, поскольку согласно мануала на МВО он может только использовать данные этого файла, но не создавать (на сколько я понял из мануала МВО). И возможно, что я вас огорчу еще, но " MDIF files are currently only support for two-port files" (4.2.3. MDIF Data File Format - хотя это есть и в хелпе по МВО), однако я могу и ошибаться.

Файл создавать не нужно. Он уже есть готовый. Нужно придумать вокруг него обвязку так, чтобы это служило "автоматической" моделью элемента, т.е. нужное значение параметра выбиралось программой, а не задавалось ручками.
Может у кого есть мысли? Что-то Desner'a не слышно.

Ну, по моему, полностью автоматизировать процесс нельзя - (обратно если я Вас правильно понял, например, у Вас есть mdif-модель транзистора и Вы хотите получить изменение коэффициента усиления усилителя на базе этого транзистора от смещения). Все таки кое-какие параметры или границу областей параметров Вам придется вводить (А у Вас пример использования mdif есть? Если нужно могу выложить).

Прямолинейно пользоваться mdf-файлом, т.е. руками задавать ему тот или иной режим по постоянному току, я умею Пример не нужен. Хочется, чтобы режим задавал ему сам офис. Но похоже здесь никто этого не умеет.

Я точно не умею . Из идей остается только либо писать скрипт или попробовать в Global Defintions попробовать задать переменные к которым следует обращаться при выполнении того либо иного условия.
P.S. Если честно я не понял зачем это нужно : в mdf файле содержится измеренные данные для разных режимов и программа может просчитать либо для какого-то одного, либо для всех сразу (например через Swept Variable Control). Но какими именно пользоваться данными программе все равно указывает пользователь.
Или Вы хотите в схематике чтобы напряжению указанному, например, в DC Voltage Source автоматически соответствовал ряд параметров в mdf-файле?

Может у кого есть мысли по вопросу:
В Output Equations получены S-параметры четырехполюсника в диапазоне частот (4 массива комплексных S11, S12, S21, S22). Можно ли как-нибудь сделать субблок (четырехполюсник) с этими S-параметрами?

Есть элемент S2P_BLK, у которого можно аналитически задать S-параметры. Проблема в том, что переменные в Output Equations не являются глобальными. Выражения для S-параметров нужно записывать на поле схемы. Но иногда возникает необходимость записывать промежуточные выражения именно в Output Equations и тогда такой способ не проходит. Недавно я здесь уже поднимал такую проблему, но решений пока нет.

Большое спасибо!!! То что нужно!!!
P.S. В поле схемы так в поле схемы.

Можно сделать текстовый файл *.s2p из этого.

Этот способ плох отсутствием параметрики.

Возникли вопросы по MWO и не только.
1. Возможно ли в MWO посчитать емкость и индуктивность PCB trace (дорожки на плате) произвольной формы, различной в разных местах ширины (например состоящей из прямых равной ширины, расширений, площадок)?
2. Делается ли это все сразу или по участкам?
3. Что в таком случае целесообразней принять во внимание при СВЧ расчетах: полученные индуктивность и емкость, коэфф. отражения в целом или по участкам, или храктеристическое сопротивление, если таковое вообще мощно посчитать в такой задаче ? (Пусть такая дорожка между конденсатором на выходе усилителя 915МГц и Т -фильтром на дискретных компонентах).

1. Если у Вас СВЧ, то о какой емкости или индуктивности трассы может идти речь? Здесь это не корректно или малокорректно.
2. Если трасса имеет на разных участках разную ширину, то эти участки можно смоделировать моделями микрополосковых линий (например, MLIN + MSUB), если, конечно, под трассой имеется земляная плоскость.
3. На стыках участков будут скачки волнового сопротивления и множественные переотражения. Лучше сразу посмотреть коэффициент отражения на входе этой трассы, замоделировав ее микрополосковыми линиями. В конце концов, наверное, именно этот параметр интересует!?

To EUrry:
Спасибо за ответ. Да, в конечном счете буду иметь дело с коэфф. отражения.
Сплошная земля под дорожкой есть.
Еще хотелось бы узнать сможет ли MWO посчитать S-параметры импортированной (или начерченной в самом MWO ) дорожки сложной геометрии сразу целиком, если обозначить места входа и выхода (места подключения портов). Или все-таки ее необходимо разбить на участки? В MWO было что-то называемое «Электромагнитный Симулятор». Не для этих ли он целей?

Модуль EMSight в MWO предназначен для электромагнитного анализа планарных структур. Ваш случай подходит.

Дык лето, отпуск.
Вы хотите сделать нелинейную модель, как не крути. Задача действительно не простая. У нас был небольшой опыт по реализации подобной модели в среде MWO.
Вот здесь есть презентация:
http://www.ellics.com/publications/nonlineartablemodel,
там есть пример построения нелинейной модели транзистора для MWO на основе S-параметров в различных режимах и полученные результаты. Но без программирования на С++ и SDK для AWR здесь не обойтись. Мне кажется в Вашем случае требуется нечто подобное.

Добрый день. Уважаемые спецы, как смоделировать в MWO часть цепи согласования на отрезках копланарных линий разной шириы? В библиотеке нет элемента -скачка ширины копланарной линии.
Цепь согласования выходного каскада транзистора усилителя мощности 2Ггц 10Вт.

Просто соедините модели отрезков линий разной геометрии. Думаю, будет неплохое приближение просто по скачку волнового сопротивления. Модели скачков более точно учитывают процессы в области неоднородности, а не только волновое сопротивление. Но уточнение это не столь значительно, особенно, для первой оценки.

Добрый день. Про копланарные разобрался, спасибо. Есть еще вопрос: составил проект части согласующей цепи выходного каскада. На месте порта1 усилительный элемент, после разделительного конденсатора далее цепь согласования. Стоит задача рассчитать эту часть цепи на другом материале(стеклотекстолит с другим эпсилон и другой толщины). Какие параметры старой цепи взять за основу, чтобы подогнать под них новую цепь?(S,Z,Zin,ксв). И еще: линию по которой подается питание я не добавлял. Можно ли ее не учитывать в расчетах?

Вот проект

Как я понимаю, это шлейфное согласование. Вам нужно "перенести", как минимум, волновое сопротивление и электрическую длину отрезков. А что Вы "использовали" сейчас? ФЛАН? Вы не учитывали потери в диэлектрике. У стеклотекстолита они будут очень большие на этих частотах.
Насчет линии для питания. Наверное, сильно она не скажется, т. к. Ваш диапазон узкий, но в конечном расчете, наверное, следует учесть.

Там был использован стеклотекстолит. Эпсилон точто не известна, получена прикидочным рассчетом (по известному сопротивлению линии 50Ом, ширине и зазорам). Потери в диэлектрике тоже не известны, так как неизвестна марка. Думаю они должны задаваться тангенсом? При моделировании на другом материале оставить такую-же длину линий, и изменением ширины добиться равенства S11,S22? Я правильно понял?

1) Потери, да, определяются тангенсом;
2) Длина остается не физическая, а электрическая βℓ (зависит от ε подложки)
3) Изменением геометрических параметров добиться равенства волнового сопротивления (по формуле, или калькулятор линий взять какой-нибудь, или еще проще - поставить в MWO 50-тиомный порты на концах отрезка линии и по минимуму S11 оптимизировать геометрию).

У стеклотекстолита на частоте 1 МГц tgδ=0,025 (огромен!!!). А что будет на Ваших 1,9 ГГц? Информация взята из справочника по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств (Вольман).

Понятно, спасибо за информацию. Еще вопрос по этому же проекту: При изменении толщины диэлектрика и наличию и отсутствию земли под ним я не вижу изменения никаких параметров цепи согласования. Это неправильно считает mwo или я что-то неправильно делаю?

Сейчас некогда изучать модели, но, наверное, толщина диэлектрика играет роль только до какой-то определенной толщины, при превышении которой уже практически не сказывается. Но то, что должна влиять - это железо-бетонно. Посмотрите описания данной линии в литературе, либо попробуйте задать очень маленькую толщину и посмотреть наличие изменений.

EUrry, Спасибо за советы! Смоделировал в mwo, но есть подозрение, что эта прога неправильно считает такие модели. Буду пробовать в ADS...

Сравнить никогда не помешает, но, в принципе, в хелпе на модели приводятся ссылки на литературные источники. Можно, так сказать, к первоисточникам обратиться. Может в ADS n же модели!? На форуме где-то выкладывали справочник, на который ссылаются некоторые модели в MWO (файл называется Transmission-line-design-handbook-artech-house.pdf).

Вопрос.
Хотел рассчитать согласованную нагрузку в коаксиальном исполнении на большую мощность. Специфика в том, что центральный проводник -это сопротивление 50 Ом и представляет собой циллиндр с "угольным" напылением большой электрической длины. Известно, что при этом (большое погонное сопротивление), волновое сопротивление линии становится комплексным. Поэтому отношение диаметров наружного и внутреннего проводника выбирается по другому. Задачу решил пограммно.
Хотел то же просчитать в AWR 2008, однако в библиотеке элементов не нашел модели линии с характеристическим сопротивлением, зависящим от погонного затухания. Есть, правда модели RLGC, но там все параметры нужно задавать в виде векторов, не очень удобно.
Подскажите -может я чего пропустил?

Лучше этот вопрос задать не MWO, а, например, HFSS.

Имеется в виду, что рассчитывать нормальную, электродинамическую модель? Это понятно, просто данная задача хорошо описывается аналитически и на низких частотах (100-600 МГц) реализация неплохо сходится с расчетом.

Ну а зачем тогда Вам MWO? Он у Вас лицензионный? Напишите свою программку и отвяжитесь от буржуев.