Подскажите, как сделать отверстия в материале: круглое и прямоугольник с сглаженными краями??

Никак, моделирование не трехмерно.

Вообще то не очень понятно, что имеется ввиду под материалом, материал платы или материал проводников? Если это материал проводников в ЕМ структуре, то в них можно делать только прямоугольные отверстия, используя команду Notch Shape. В материале платы в ЕМ структуре отверстия делать нельзя, как уже указал EUrry. Однако в плате схемы в схемном моделировании круглые отверстия делать можно. Посмотрите пример LNA_5GHz.emp. Там показана такая плата с перемычками (Via). Чтобы её увидеть, откройте окно схемы и щёлкните по значку View Layout на панели инструментов. Перемычки можно переделать в отверстия, заменив Via на Drill в их свойствах. К электромагнитному моделированию это отношения не имеет, но эту плату Вы можете экспортировать в dxf или в gds файл.

Вот в этом примере как-то ведь сделаны отверстия .

В дополнение к написанному выше. Используя инструмент Drill Hole можно делать (точнее имитировать) круглые отверстия и в ЕМ структуре. Располагать их можно где угодно, там где проводники и на свободном месте платы, например, где должны быть отверстия для крепёжных винтов. Причём отверстий может быть сколько угодно и разного диаметра. Диаметры определяются в Options>Draving Layers и затем Gneral>Drill Hole Layers.
Реально в ЕМ структуре никаких отверстий не будет и на электромагнитный анализ это никак не повлияет ни в EMSight, ни в AXIEM. Но при экспорте в dxf файл эти отверстия будут переданы.

Но обратите внимание, что в этом примере выполняется только схемный анализ, никаких ЕМ структур там нет. А на картинке, которую Вы показали, просто создана топология элемента в библиотеке Cell Libraries на вкладке Layout в левом окне или импортирована из файла, никакой электромагнитный анализ этой топологии не выполнялся.

Спасибо за разъяснения. Ну и ладно, нельзя и хрен с ним. У меня еще вопрос к знатокам. Хочу смоделировать выходную катушку согласующего устройства в диапазоне от 2 до 30 Мгц и ничего не получается, а я в этом деле новенький.Две спирали,расположенные параллельно, между ними расстояние 8 мм, из меди . Нагрузка на 150 Ом со средней точкой. Все слои задал как воздушный слой,границы верхней и нижней крышки как открытый конец 377 Ом , интервалы и порты как на рисунке, размерность в миллиметрах .Подключение на втором рисунке. При расчете входного сопротивления на графике полная ахинея. Какие ошибки были допущены???

MPel, если в MWO ничего нового не придумали, то, во-первых, порты задаются на границах бокса, а не внутри, во-вторых, у них есть волновое сопротивление, которое должно быть согласовано с волновым сопротивлением полосковой линии. В Вашем же случае это сосредоточенный индуктивный элемент и полосковой линии нет, точнее, она есть, но с неизвестно каким сопротивлением вряд ли близким к 50 Ом и, к тому же, сильно связаная сама с собой различными участками.

[quote name='EUrry' date='Sep 8 2011, 19:40' post='970397']
MPel, если в MWO ничего нового не придумали, то, во-первых, порты задаются на границах бокса, а не внутри, во-вторых, у них есть волновое сопротивление, которое должно быть согласовано с волновым сопротивлением полосковой линии. В Вашем же случае это сосредоточенный индуктивный элемент и полосковой линии нет, точнее, она есть, но с неизвестно каким сопротивлением вряд ли близким к 50 Ом и, к тому же, сильно связаная сама с собой различными участками.
[/quote
Задал я порты на границе. Ничего не изменилось. Игрался с сопротивлением портов, входное сопротивление линии в показывает тысячные Ома в Кв диапазоне..

ИМХО, ничего не выйдет. Вы хотите сосредоточенный элемент смоделировать непосредственно подключив его к портам, предназначенным для полосковых линий передачи. Кстати, еще у портов нужно опорную плоскость отодвигать, чтобы вычесть решение для области неоднородности вблизи портов и исключить влияние высших мод, посмотрите операцию de-embedding, но всё-равно это не поможет в данном случае. Может быть попробовать подвести 50-омные полоски к спирали и перенести опорную плоскость непосредственно к ней. Но всё-равно всё будет нормировано к 50 Омам, это нужно учитывать.

Порт, который находится в EM структуре, никому ничего не должен.

Может быть, раньше его просто нельзя было поставить НЕ на границе, сразу были цветовые ругания, но времени прошло много...

Сейчас тоже нельзя ставить такой порт НЕ на границе, иначе ругается красным цветом. И при анализе S-параметров сопротивление порта всегда 50 Ом. Внутри бокса можно ставить только внутренние порты и порты-перемычки.

В любой версии MWO edge порт должен быть на границе с боксом, в отличие от ADS, например. Насколько я понимаю, Yuri Potapoff имел в виду, что волновое сопротивление порта не обязательно должно быть согласовано с сопротивлением линии при EM моделировании. Это действительно так, в Help читаем "The impedance port does not affect the S-parameter data". Т.е. его можно поставить хоть 1000 Ом, на S-параметрах это не скажется. В отличие от того же ADS, где такой номер не пройдет, и все должно быть согласовано. Далее в Help читаем: "EM impedances are only used to calculate the image currents, which generate antenna patterns, images, and e-field and current measurements".

Импеданс порта можно установить любым, но на S-параметрах это действительно не скажется, т.к. порты всё равно будут считаться 50-ти омными. Скажется это только на вычислении плотности тока и анализе антенны. Если же нужно выполнить анализ на другие сопротивления источника сигнала (генератора) и нагрузки, нужно создать схему, вставить в неё в качестве подсхемы ЕМ структуру, и уже в схеме установить нужное сопротивление портов.

MPel, все порты требуют, чтобы была определена земля. В Вашем проекте, как я понял, её вообще нет. Могу посоветовать использовать via порт, в этом случае в роли земли выступает
нижняя катушка, и у нас получается что-то вроде двухпроводной линии. Навешать резисторы уже в Schematic вряд ли удастся, потому что edge порты здесь использовать нельзя. Поэтому я сделал их из OmegaPly с поверхностным сопротивлением 50 Ом/квадрат. С катушками я не заморачивался, сделал их c помощью MRINDNBR, размеры взял "от фонаря". В Схематике можно исследовать поведение схемы с 75-Омным портом.

Cпасибо конечно, но это не то что надо. Подскажи, в каком Сапре я могу смоделировать свою схему?? И чтоб небыло этих заморочек с портами.)))

А что надо, опиши подробнее? Можно смоделировать в CST или в HFSS, используя Discret port и Lumped порт соответственно. Но на таких низких частотах, я думаю, результаты не сильно от MWO будут отличаться.

Да все тоже самое нужно. Две спирали, параллельно расположены. Между ними сопротивление, пусть оно будет 75 Ом. Один вход , один выход.Изменяя расстояние между спиралями, соответственно изменяется волновое сопротивление всей линии. Подключаю 75 порт ко входу, добиваюсь изменением расстояния 75 Ом, и у нас все отлично, полное согласование. Мне на первом этапе нужно хоть это сделать, дальше у меня таких спиралей пойдет целый блин из 6 штук, плюс еще фильтры из емкостей, сопротивлений и индуктивностей нужно будет добавить.
Вы писали что в моей схеме нет земли, но она ведь есть на схеме)). А что это за заморочки с с портами в ЕМ, ничего не понимаю. Вот я и спрашиваю, есть ли программы, в которых порты представляют собой только описание точки подключения. То есть физически, я к концу линии припаиваю сопротивление, или подаю сигнал, например с Обзора.


Да все тоже самое нужно. Две спирали, параллельно расположены. Между ними сопротивление, пусть оно будет 75 Ом. Один вход , один выход.Изменяя расстояние между спиралями, соответственно изменяется волновое сопротивление всей линии. Подключаю 75 порт ко входу, добиваюсь изменением расстояния 75 Ом, и у нас все отлично, полное согласование. Мне на первом этапе нужно хоть это сделать, дальше у меня таких спиралей пойдет целый блин из 6 штук, плюс еще фильтры из емкостей, сопротивлений и индуктивностей нужно будет добавить.
Вы писали что в моей схеме нет земли, но она ведь есть на схеме)). А что это за заморочки с с портами в ЕМ, ничего не понимаю. Вот я и спрашиваю, есть ли программы, в которых порты представляют собой только описание точки подключения. То есть физически, я к концу линии припаиваю сопротивление, или подаю сигнал, например с Обзора.

В лини с Т-волной не может быть одной точки подключения, она пропускает постоянный ток, и ему нужен путь, чтобы обратно вернуться. Любую линию с Т-волной можно представить эквивалентной двухпроводной линией, у которой есть сигнальный провод и земля. Для коаксиала это будет внутренняя жила и оплетка, для микрополоска - сам полосок и металлизация обратной стороны подложки и т.д. В MWO Schematic ты можешь нарисовать схему из резистора и 2-х портов вообще без земли и она будет моделироваться, потому что земля подразумевается в модели порта. Когда я писал "нет земли", имелась в виду ЭМ структура, для которой эту землю надо задавать, чтобы использовать edge порт. Или же, если земли нет, надо использовать via port, и явно указывать две точки подключения на входе. Ведь то же самое и с edge портом, просто второй точкой подключения выступает земля. Не знаю, насколько понятно объяснил, могу порекомендовать изучение теории линий передачи с Т-волной.
Если требования таковы, как ты описал, не могу понять, почему моя модель MWO не подходит? Естественно, надо устанавливать свои размеры катушки, подбирать расстояние и т.д., но идея ясна же. Если моделировать в CST, можно использовать Parameter Sweep (в качестве параметра - расстояние между катушками), ставить Discrete Port, но на входе также будут две точки подключения, потому что физику никто не отменял.

Во-первых,если я не знаю как подлючать порты в Microwave и как задавать землю,то это не значит , что
я не изучал физику в шестом классе.Во-вторых "В лини с Т-волной не может быть одной точки подключения,
она пропускает постоянный ток, и ему нужен путь, чтобы обратно вернуться. Любую линию с Т-волной можно
представить эквивалентной двухпроводной линией, у которой есть сигнальный провод и земля. Для коаксиала
это будет внутренняя жила и оплетка, для микрополоска - сам полосок и металлизация обратной стороны подложки
и т.д.

Можно ли в MWO n-портовую модель с S-параметрами вставить в Системный анализ? n>2

Если S-параметры модели имеются в файле в формате sNp, то этот файл можно добавить в проект и затем вставить в схему в качестве подсхемы. Если в другом формате, можно попробовать отредактировать файл к виду, который понимает MWO. Обычно редактировать приходится только шапку.

evgdmi, автора вопроса несколько иное интересует - можно ли использовать модель в VSS. Я ответить на этот вопрос не могу, т. к. с VSS не работал.

Прошу прощения, сразу не сообразил. В VSS я тоже не работал.

Вставляете точно также как и двух-портовую. В дереве элементов VSS нужно зайти в раздел Subcircuits и выбрать элемент LIN_S и соответствующий схематик из линейного симулятора. Затем в параметрах LIN_S надо дописать номера входных и выходных портов, после этого они физически появятся на схеме для моделирования

Возникли проблемы при составлении электрической схемы, при установке транзистора SQ201 (Polyfet). Если он выбран из раздела базы DATA, с S-параметрами, то все нормально. Если из раздела NONLINEAR, то подключить его к другим элементам схемы не удается - символ SQ201 без портов.
С другими транзисторами (SQ202) все нормально. Может кто нибудь сталкивался с подобным? Что и как надо подправить?

Только начинаю изучать MWO. Мне необходимо создать модели фильтров на частотах 150-300 МГц (на чип-индуктивностях) с последующим макетированием. Предпологается провести EM моделирование (Axiem) всей топологии фильтра (с использованием экстракции).
1. Есть смысл использовать ЕМ на таких частотах?
2. Как правильно задать порты элементов? (задаю mutual порты)
3. Плата на FR-4, 2 слоя. Как в MWO задать "землю" на втором слое? Перемычкой на нижнюю границу корпуса?
4. На что обратить внимание для повышения точности расчетов?
Если есть подобные примеры, выложите пожалуйста.

Посмотрите пособие "Основы моделирования в Microwave Office 2009 (на примерах)", может быть поможет. Имейте ввиду, что для выполнения экстракции Вашим чип-индуктивностям должны быть определены соответствующие элементы топологии. Если их нет, придётся создать, иначе экстракция не пройдёт. Землю можно создать перемычками. А вообще, я думаю, здесь можно обойтись и без ЕМ моделирования. Используя мастер синтеза iFilter, можно синтезировать такие фильтры. Или в NuhertzFilter.

индуктивности взяты из библиотек. Заданы s-параметры используемым конденсаторам, созданы элементы топологии для них..Экстракция идет.. Но есть сомнения в её корректности. Перед этим были созданы линейные модели, результаты заметно отличались от EM.
Необходимо создать точную модель.

Мне не приходилось разрабатывать такие фильтры на практике, поэтому боюсь давать конкретные советы. Но, например, в руководстве по iFilter предупреждают о том, что некоторые производители элементов дают не совсем корректные S-параметры для использования в MWO. А можно взглянуть на структуру (топологию) Вашего фильтра?. Может откликнется кто-нибудь, кто имел дело с похожими фильтрами.

Посмотрите вот эту статью Нажмите для просмотра прикрепленного файла может поможет.

Спасибо за ответы

С программой работаю редко, возникла проблема, которую в лоб решить не смог, в хелпе тоже не нашел ответа ,поэтому обращаюсь за помощью.
Строю график входного сопротивления в Smith Chart. Не найду, где можно перенормировать график к W, отличному от 50 Ом. Пытался перенормировать через Output equations (перенормировал к 60 Ом делением сопротивления на 1.2), но выяснилось, что Smith Chart не строит Output equations.
Что делать то? Проект прилагаю.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

На диаграмме Смита правой кнопкой выбрать Properties, там есть пунктик Markers. В "Z or Y display" выбираете denormalized to, и, соответсвенно Ваши 60 Ом. Потом можно построить диаграмму Смита для нормированного сопротивления, выбирая normalized, нормироваться будет уже на 60 Ом.

Спасибо, проморгал я эту закладку.

Еще вопрос.
Есть четырехполюсник. Каким образом можно рассчитать сразу полную матрицу рассеяния, а затем вставить в схему четырехполюсник с обратной ей матрицей, используя только MWO?

ИМХО, одним MWO обойтись не получится. Нету в MWO функции (в хелпе, по крайней мере, я не нашел) для обращения матрицы или построения матрицы из элементов обратной матрицы, найденных по формулам из элементов исходной матрицы. И из Output Equations не удастся сделать Output File. Я бы задействовал Mathcad, создал бы Output File по результатам моделирования, подгрузил бы его в Маткад, там бы нашел обратную матрицу, сделал бы экспорт этой матрицы в файл из Маткада и сделал бы на него линк в MWO. Конечно, долго, но по-другому, видимо, не получится.

Используйте схемный элемент NEG2, находящийся в General->Negate. В параметрах элемента в поле "name" укажите название схемы или датафайла с параметрами четырехполюсника.

Доброго времени суток! Друзья, подскажите, пожалуйста, как в MWO в EM анализе повернуть свою структуру на произвольный угол, ну или хотя бы, как в layout на 22,5 градуса, а то замучился искать. Спасибо!

Все, я разобрался, если кому интересно или кто-то столкнется с такой же проблемой, решается она очень просто, как оказалось. Выделяете свой полигон (или всю структуру), кликаете правой кнопкой мыши по нему и выбираете свойства. И там есть строка angle, а под ней вводимое значение, вот туда и вводите любой угол, на который хотите повернуть.

Ещё можно выбрать в меню Options>Layout Options и на вкладке Layout в поле Rotation snap angle ввести минимальный угол поворота (до 0.1 градуса). После этого плавно поворачивать полигон, угол поворота отображается. Но работает это только в AXIEM и в топологии схемы. В EMSight почему то не работает.

Не подскажите как импортировать spice модель транзистора BFG вот тут bfg нашел данные по нему, что дальше делать пока не понял.

и что за spice модель (почему spice)?
поней можно получить s параметры? если да то почему производитель отдельно дает s параметры при различном напряжение и токе коллектора

Здравствуйте, уважаемые.

Возник такой вопрос. В MWO в моделях полевых транзисторов присутствуют модели, например TOM1, TOM2.
Среди параметров этих моделей, отвечающих за шумовые характеристики присутствует параметр P (Noise par: P). В каком виде (функционально) он влияет на шумовые параметры? С параметрами для описания фликер-шума вроде разобрался (за исключением параметра FFE) и даже нашел литературу.
И еще интересует параметр NFLAG? Значения на выбор AWR1 и Noise off. Второй, как я понимаю, отключает расчет шума в проекте для этой модели, а что такое AWR1? Объясните пожалуйста или дайте ссылку на источник, где можно почитать про это.

В модели Матерки также присутствует параметр P. Хотя во всех литературных источниках или же аналогичной модели в ADS (по справке или описанию модели без привязки к soft) за шумовые характеристики отвечают три параметра P, R и С. Помогите разобраться (((

Можно ли каким-нибудь образом в MWO задать порту комплексную величину сопротивления?
Требуется оптимизировать схему согласования в усилителе: известны входное и выходное комплексные сопротивления транзистора и требуемое на входе и выходе усилителя. Вот как-то нужно эти импедансы реализовать.

В свойствах порта: port/specify sourse gamma

Возьму на себя ответственность предположить, что порты лучше вам оставить 50-омными (т.к. усилитель наверняка будет работать в 50-омном тракте). Если вы хотите оценить характеристики транзистора в случае, когда выходной и входной импедансы оптимальны, то лучше воспользоваться тюнерами (Tuner). Найти их можно так: Circuit Elements\General\Passive\Other

Перед использованием почитайте help по ним.

У меня тоже сначала возник вопрос почему не 50 Ом, но, возможно, под конкретную комплексную нагрузку расчет делается.

Утилита iFilter позволяет синтезировать полосно-пропускающий фильтр с выводом графика неравномерности ФЧХ., но невозможно импортировать график неравномерности ФЧХ в MWO. Как в MWO вывести график неравномерности ФЧХ?

Что означает график неравномерности ФЧХ? ФЧХ можно импортировать в Office из IFilter, нажав кнопку Generate Design и в появившемся окне поставив галочку Group Delay + Phase.

График Insertion Loss+Phase Variation в MWO не импортируется.