Здравствуйте, у меня вопрос по электромагнитному моделированию: возможно ли и как в микровэйве исходя из реальных геометрических размеров промоделировать ряд параллельных проволочек (как развариваются кристаллы транзисторов) с целью определения их индуктивности и взаимной индуктивности в зависимости от высоты над землей и длины самих проволочек?

Думаю, для данной задачи больше подойдет 3D симулятор, типа CST или HFSS...

Хочу посчитать в MWO усилитель на транзисторе Avago ATF-54143. Модель элемента есть в библиотеках MWO:

Почему subcircuit имеет только 2 выхода, хотя у транзистора их 4?

Вероятнее всего это измеренные S-параметры, измеренные в разных режимах и скомбинированные в MDIF файл. Включение скорее всего с общим истоком, для верности посмотрите в даташите. Землю можно вывести щелкнув на свойствах модели, затем на вкладку ground и ставим галочку напротив Explicit ground node.

Есть такой элемент Interconnects->BWIRES3. Там можно задать количество параллельных проволочек, их длину и т.п. и т.д. Может будет вам полезно.

Вам необходимо выбрать 3-х портовый FET@system.syf. Корпус этого транзистора есть в библиотеке

Здравствуйте!
Кто может подсказать как можно пересчитать цепи согласования для балансного транзистора MRF8P29300HR6 на другой материал?
Пример своего расчета в микровэйв офисе привожу в прикрепленных файлах. Здесь импеданс транзистора в зависимости от частоты задаю функцией, а импеданс цепей - параметром Z12 и сравниваю их, но они почему-то не одинаковые. В чем тут ошибка?

Спасибо за советы, буду разбираться.

Переформулирую вопрос: Имеется схема с 3 выводами, мне нужно померить импеданс между двумя выводами, как это сделать? Параметр Z12 - почему-то выдает не то.

А зачем Вам Z12 (как еще называется - сопротивление обратной передачи)?
В даташите приведены характеристические сопротивления на каждый транзистор (у вас их два в 1 корпусе), поэтому если делаете цепь согласования, то нужно либо смотреть Z11 и Z22 (чтобы они максимально приближались к указанным в даташите), либо вместо Z1 и Z2 ставите ZFREQ (на каждое плечо транзистора), прописываете в них сопротивления, а по выходу порт и уже смотрите чтобы Z11 было максимально близко к 50 Ом.

У меня в даташите написано, что импеданс мерился от затвора до затвора балансной конфигурации (Test circuit impedance as measured from gate to gate, balanced configuration), т.е. параметр, измеряющий импеданс между этими выводами.

Поставил элемент IMPED с прописанным в него импедансом из даташитов между этими двумя выводами и посмотрел КСВ по выходу - близко к 1, все хорошо. Для проверки результата хочу померить импеданс оптимизированных плат (на другом материале) между этими двумя выводами (затворами), чтобы сравнить его с указанным в даташитах. Как уже говорил параметр Z12 не подходит почему-то, хотя по смыслу должен стоять именно он. В чем тут дело?

Так схема с тремя выводами (полюсами) или тремя портами (шестью полюсами)? Обратите на это внимание, а также на определение Z-параметров (режимы).

P. S. Соответственно для измерения параметров трехполюсная схема преобразуется в четырехполюсную (двухпортовую) с одним общим проводом.

Не понял про определение режимов Z параметров, по смыслу для измерения импеданса между двумя порами подходит Z12. Схема с двумя портами, третий - 50-и омная нагрузка, как на прикрепленном рисунке.

Дело в том, что мне не ясна картина того, что у Вас имеется - либо потому что я этим не занимаюсь, либо Вы что-то недообъяснили. Поэтому я и спросил трех- или шестиполюсник у Вас. Видимо всё-таки шестиполюсник, судя по Вашему описанию (хотя вот тут я уже не знаю как транзистор так включить). Если бы был трехполюсник, то в MWO он включался бы как четырехполюсник (двухпортовое устройство) с одним общим полюсом на вход и выход. И тогда, если импеданс между какими-то выводами (полюсами) транзистора как трехполюсника был равен одной величине, то импеданс передачи Z12 получающегося четырехполюсника (между портами) не будет ему равен.
А по поводу режимов измерения (см. определение Z-параметров) - это к тому, если Вы смотрите Z-параметры и сравниваете их с каким-то импедансом, то для корректного сравнения необходимо знать при каких условиях он определен.

P. S. Не знаю, может быть только запутал. Извините, если что.

Транзистора - балансный, состоит из 2 транзисторов, работающих в противофазе. Между этими двумя транзисторами на цепях согласования стоит линия в пол длины волны для сложения мощности в фазе. А импеданс в даташитах указывают также между этими двумя выводами (например по входу - от затвора до затвора). Мне нужно измерить импеданс оптимизированных цепей согласования между этими выводами и сравнить с импедансом в даташитах.

Доброго утра всем! Столкнулся с утверждением, что в AWR MWO можно синтезировать и оптимизировать амплитудно фазовое распределение решетки по требованиям к ДН. Если кто занимался такой оптимизацией прошу скинуть какую-нибудь инфу по этому вопросу или пример. Либо, если кто синтезирвоал АФР амплитудно-фазовым методом не в MWO, помогите найти нужную литературу, или опишите где и как Вы это делали. Зарание благодарю!

Утверждение ложное.

Z-параметры определяются при хх на остальных полюсах. неважно на что вы там нагрузили схему, параметры будут даны при условиях хх. Могу порекомендовать также использовать величину 1/Y12. Y-параметры определяются при условиях кз на остальных полюсах. Короче смотрите, что больше подходит. Если 50 ом - нагрузка на остальных портах, то это уже S12

Всем доброго времени суток!
Столкнулся с такой проблемой: в версии AWR DE 10.02 одна и та же EM-структура в разных солверах расчитывается по-разному.
В чем проблема, я пока не разобрался. Надеюсь на вашу помощь.
Чтобы было понятно, о чем идет речь, прикладываю к сообщению файл проекта, в котором один и тот же фильтр посчитан в разных солверах.
Когда расчет ведется в AXIEM, характеристики получаются такие, будто у фильтра нет "земли".
Может, я что-то не так делаю?
В общем, очень нужна помощь...

В таких структурах обычно в свойствах порта нужно указывать где земля, т.е. дважды щёлкнув по порту в поле Exlict Groynd Reference установить Connect to lower.
Результаты синтеза зависят от установленных опций для AXIEM, установленные по умолчанию иногда не подходят, особенно для фильтровых структур. В этом примере я перепробовал несколько вариантов установки этих опций, но результат не изменился. Подумал, что может установленный по умолчанию итерационный solver не подходит. Пробовать другие солверы, которых в AXIEM довольно много не стал, просто выключил AFS. Но и это не помогло. Может быть внутренние порты ведут себя иначе, чем в EMSight, я с этими портами не разбирался. Т.е. тоже не понял, в чём дело.
Во всяком случае нужно верить результатам EMSight. На всякий случай проверил в симуляторе Sonnet, результаты идеально совпали с результатами EMSight. Эти результаты во вложенном файле.
Вообще с подобными фокусами при моделировании фильтровых структур я сталкивался неднократно и в более ранних версиях. Поэтому AXIEM использую в основном для нерезонансных структур (делители, ответвители и т.п.). Если же моделирую фильтр в AXIEM, то конечный результат проверяю в EMSight или в Sonnet.

Я просто переназначил via в Вашем проекте (ведь по характеру кривых дейсвтительно нет земли) и... та да...

В каком месте (в какой опции) и как Вы переопределили via? Ведь и в первоначальном проекте перемычки определены как via.

Дело в том, что Axiem-у "не понравились" - вырезанные via: т.е. вы из одной окружности вырезаете другую и полученный "бублик" ставите как via. Когда в таком варианте посмотреть разбивку mesh-а в 3D визуализации проекта, то можно заметить, что заданные таким образом перемычки пропадают (они прозрачные), а, значит они не учитываются в расчтете (раз не рабиты сеткой). А если поменять на простою перемычку (просто оружность заданная как via), то mesh уже ее разбивает. Вот и все премудрости.
Почему Axiem не хочет учитывать via "бубликом" - я не знаю, вернее не уверен, что мои домыслы достоверны.

P.S. еще заметил, что если задать тощину проводника, то Axiem считает гораздо дольше EMSight. (проверял на двух связанных линиях - разница составила минуты 3).

Это естественно, поскольку EMSight учитывает толщину только для расчёта потерь, а при вычислении S-параметров в отличие от AXIEM (если материал определён толстым) всегда считает её нулевой. Впрочем в EMSight толщину можно учесть, если задать ещё слой воздуха, равный толщине проводника, на нём создать такойже проводник, и соединить их рядом перемычек. Такая хитрая метода.

Спасибо. Заработало
Уважаемые форумщики, спасибо большое за поддержку, за проведенный мозговой штурм.
AXIEM хорош не только тем, что позволяет учитывать толщину проводника, но и проводить оптимизацию EM-структуры.

Так-с... А на этом месте, пожалуйста, по подробней. А то я help читал, но вот про оптимизацию там не встретил. Буду весьма признателен.

Вы посмотрите примеры в папке Example. Посмотрите, например файл "Double_Stub_EM_Optimization.emp" - это пример оптимизации с использованием экстракции схемы. А вот на пример оптимизации EM-структуры можно посмотреть файлик "Patch_Antenna.emp" Ну а потом уже можно и хелп читать, т.к. вопросы по оптимизации и заданию переменных все равно остаются.

Про оптимизацию можно прочитать в Simulation (файл Simulation.chm в корневом каталоге), глава 9.3. Хотя и после чтения вопросы остаются.

Знатоки AWR подскажите, возможно ли, задавать параметры например pin диода не от эквивалентной схемы, а от табличных значений изменений сопротивления, емкости, частоты от тока и напряжения? А то эквивалентной схемой не получается точно подобрать.

Может быть можно воспользоваться возможнстью вариации переменной?

Можете написать аналитические зависимости параметров той же эквивалентной схемы от параметров напряжения, тока или чего-то еще, что нужно, задав зависимости в Output Equations, a параметры - в Global Definitions. Можно, например, задать квадратичную аппроксимацию емкости: C = a+b*U+c*U^2, где U будет напряжение, а параметры a, b и c будут подбираться при оптимизации. Модели аппроксимации могут быть совершенно разные. Далее воспользуйтесь модулем автоматической оптимизации, либо даже для начала ручной подстройкой (инструмент Tuner), чтобы "почувствовать" влияние того или иного параметра.

Вот это уже интересно! Спасибо буду пробывать.

Ребята, кто может взяться за выполнение курсового проекта! Нужен человек шарящий в моделировании приёмных устройств в MWO. Деньгами не обижу, но так как вишу на волоске от отчисления, то попрошу выполнить в течении недели, максимум две! Все методические указания, и лекции по данной курсовой вышлю! Кто реально сможет и хорошо оценивает свои силы, напишите на почту immortal-fml@mail.ru

Доброго времени суток, уважаемые форумщики!
Столкнулся я тут с такой задачей - нужно промоделировать прохождение сигнала через структуру во временной области. Никогда подобным не занимался
Возникают вопросы - можно ли как-то в MWO в структуру, посчитанную в частотной области, вдуть нужный мне сигнал и увидеть его искажения во времени?
Сейчас начал ковыряться - вижу, что можно посмотреть во времени напряжение, но пока не понял, как подать "свой" сигнал, не разобрался с настройками.
Если у кого-то есть опыт, кто-то делал подобные проекты, подскажите пожалуйста. Так оно намного быстрее пойдет

Сам этим вопросом не занимался, но смею предложить, такой вариант: описываете свой сигнал в датафайлах (Data files) или в нетлисте (netlist). а дальше выбираете порт PORT_TN либо PORTSIG_F (PORTSIGF_F) и там в разделе "NET" указываете свой файл с описанием сигнала. ну а дальше через V_probe смотрите искажения.

Да, тоже вариант. Спасибо.
Я сейчас пошел несколько другим путем - взял PORT_PWL и описал сигнал аналитически.
Но ваш вариант тоже рассмотрю обязательно.

Подскажите, где-то читал, что можно заставить MWO подставлять в качестве подсхемы одну из схем из некоторого массива таких схем. И таким образом проводить оптимизацию (ища наиболее пригодную схему из массива), делать свип по массиву, смотреть выход годных.

А как это реализовать - не пойму. Может кто кинет примерчик?

Например так:

Создаете кучу схематиков с вашими емкостями или резиторами (у схем должны быть порты), названия также лучше давать по номиналам. Затем создаете другой схематик и в него накидываете эти схемы (здесь уже без портов). Затем в той схеме где вам они нужны создаете переменную, значения этой переменной это вектор, содержащий имена схематиков. А затем можете уже создавать уже подсхематик, который будет ссылаться на эту переменную, и у нее будут дискретные значения подсхематиков

Всем привет. Прошу вашей помощи по моделированию антенны в программе Microwave Studio. Являясь новичком, не могу найти информацию, объясняющую как рисовать излучающую поверхность на печатной плате антенны. Т.е. на практике имеется плата с проводящим слоем в виде витков, которые нужно смоделировать.
Заранее благодарен за ответ.

По-моему, что-то по антеннаям было в книге "Проектирование свч устройств с помощью Microwave Office". Не смотрели?

Смотрел, но это не совсем то, про то, как рисовать витки на плате нет информации. Был бы очень признателен за любую информацию.

Во вложенном файле три ФНЧ, которые используются в качестве подсхем в Schematic. При активном окне графика Loss_Schematic, пользуясь инструментом настройки, можно по очереди смотреть характеристики схемы при встраивании разных подсхем. Казалось бы хорошо использовать элемент SWPVAR, чтобы на одном графике видеть все характерстики с разными подсхемами. Но при текстовых переменных этот метод не работает.

Плоская спиральная антенна что ли? Честно говоря, не знаю стоит ли криволинейные объекты в MWO моделировать с его прямоугольной сеткой. Хотя, времени много прошло с тех пор, как я в нем последний раз ковырялся - может что-то поменялось в лучшую сторону. А по поводу рисования криволинейных объектов вспомнить ничего не могу, т. к. не приходилось по крайней мере. Может быть возможен импорт из какого-нибудь CAD'а, там явно больше возможностей будет в прорисовке. Посмотрите хелп на предмет импорта. К сожалению, сам давно не видел MWO - только воспоминания.

В общем, конструкция антенны - планарная, плоская, предназначена для систем радиочастотной идентификации (RFID).
и за неимением опыта эксплуатации остальных, начал изучение именно с Microwave Studio.
В общем, конструкция вот такого типа должна быть в итоге:

Возможность импорта у новой версии программы есть, в списке достаточно много сторонних программ, откуда можно сделать импорт. Я только начал осваивать программы данного типа,

Я что-то не понял, речь идёт о Microwave Office или о Microwave Studio?

о Microwave Studio.

Тогда Вам сюда.

Спасибо за пример. Я-то надеялся как раз увидеть набор кривых. Неужели никак нельзя его обмануть?

Возможно, с использованием скриптов это делается.

Добрался до примера: Нажмите для просмотра прикрепленного файла

В первой схеме - это оптимизация дискретных элементов. (о чем я писал выше)
Во второй это использование свитча для переключения различных схематиков (можно смотреть сразу все кривые), при необходимости можно размножить на большее число схематиков...