Thanks, my computer is tired too with CST,...

Within perpetum mobille that should be OK*
looks like BPF with spurs

Yes, the result is correct. My request is to obtain the Fig 4 of the article.

By the way, it depends from boundary condition. No open space, simply saying black metal box.


And...

I don't know what the problem is, try to change Boundary condition if its help.

Доброго дня!
Подскажите пожалуйста, как в CST правильно задать параметры резистивного слоя? Что-то не могу разобраться с толщиной.
Заранее благодарен.

можно конечно попытаться угадать, зачем вам нужен резистивный слой, что за устройство вы моделируете и прочее, но лучше будет если вы сами сообщите эти сведения.
неплохо было бы показать скрин вашего проекта, еще лучше выложить сам проект.
тогда ответы на ваш вопрос будут более осмысленными.
пока могу ответить, что материал и толщина резистивного слоя должны быть то же самые, что и в реальном устройстве, которое вы моделируете.

Толщину надо узнавать у ваших технологов или у тех, где будете изготавливать ваше устройство.
Для примера, толщина резистивного слоя из хрома для поликоровой подложки порядка 0,03-0,08 мкм.

Доброго времени суток. Столкнулся с такой проблемой : требуется рассчитать зависимость КСВ от угла сканирования бесконечной решётки, однако во временной области с periodic ГУ выдаёт одну и ту же зависимость для любых углов, а вв частотной попросту не выдаёт результатов VSWR да и S параметров в общем.
Пробовал также и unit sell ГУ , но результата ноль.

Добрый день!

Я рассчитал Е-поле в полосковой линии, получил максимальное значение на заданной частоте, например 2кВ/м. Это значение соответствует мощности 1 Вт, подаваемой на вход на этой частоте?

В дереве результатов, в папке 1D Results/Power/Excitation указаны значения мощности, подаваемой на вход, излученной и т.д., оттуда вы можете и узнать какая мощность подвалась на вход на вашей частоте. Фишка появилась, начиная с 13 студии. В скриншоте прикладываю пример.

При использовании сосредоточенных портов, в хелпе пишут что прикладывается 1В, далее можно пересчитать по согласованию.

Кому интересно, на нашем сайте добавлены новые статьи

http://www.eurointech.ru/index.sema?a=pages&id=121

Спасибо Юрий, очень помогла статейка с использованием схемотехнического анализа. Только не нашлось что-то в каталоге Calculate такого макроса Calculate LC-matching Circuit, может есть у кого? Может поделится кто?

И сразу появился вопрос, каким образом пересчитать ДН при внесении согласующего устройства в Design Studio?.

Доброго времени суток.
Подскажите, как редактировать фигуру исходя из импортированного DXF файла из P-CAD: она у меня импортировалась в виде голубой фигуры, требуется задать толщину, материал, изменить геометрическое положение, как это можно сделать?
И еще вопрос: как задать фигуру исходя из расставленных Pick Points?

Геометрию редактировать у импорта не получиться, но изменить материал на PEC и придать толщину это можно.

Тогда придется полиномом описывать.
В ходе работы возник еще один вопрос: при расчете микрополоскового перехода с изменяющейся шириной (в сечении одного Waveguide port ширина одна, а в сечении другого порта - в несколько раз шире), импеданс в сечении вывода считается не правильно. При импорте S2p файла в AWR microwave office программа мне выдает: 47 ом с одной стороны и 55 с другой, а должно быть 8 и 50 ом. Возможно влияет импеданс порта, но как его тогда задать правильно и где?

Мдя вижуал басик. Я им не пользуюсь. Кроме Waveguide есть дискретный порт коий можно подцепить в самых неожиданных местах.

Результат примерно тот же самый. Как я понял вопрос связан с нормировкой портов. Получается здесь есть ограничения: импеданс с неизвестной стороны полоска (не 50-ти омной) точно посчитать из этого файла врядли удастся, т.к. надо вручную подбирать импеданс порта в microwave office для того, чтобы он совпал с тем, под который нормируются здесь S-параметры. Получается надо разбираться с microwave office.

День добрый, подскажите пожалуйста: есть антенна которую согласую к диоду а далее фильтр в схематике, правильно ли я думаю, что сопротивление диода надо брать согласно даташиту Rs? диод sms 7360-079LF у которого Rs= 20 Ом. Частота 2,45 ГГЦ. Есть подозрения, что сопротивление будет динамически меняться , тогда возникает вопрос как правильно выбрать сопротивление диода к которому согласовывать остальную часть? Спасибо

Уважаемые форумчане, появился вопросик, раньше в версии студии до 2014 в интегральном солвере был принудительный выбор метода решения (Прямой МоМ, итерационный МоМ, FLFMM), в 2014 версии я такой плюшки на том же месте не найду. Может быть кто знает куда она переехала?

Если в настройках I-солвера Accuracy settings установить Custom, разблокируется кнопка Settings. По её нажатию открывается окошко со специальными настройками солвера. Выбор метода решения находится в выпадающем списке Matrix.

В FieldsMonitors выбрал field-source, задана нижняя, верхняя частоты и шаг (MWS 2012). В результате записался файл *.fsm, ~30МБ, по содержимому - какой-то архив.
1. Что содержится в field-source?
2. Правильно ли я понимаю, что там эквивалентные поверхностные токи на гранях расчетной области на заданных частотах? Или три компоненты поля в расчетном объеме?
3. Есть ли способы извлечь данные в ascii из этого файла?

Идея такая: взять токи на поверхности расчетной области и посчитать самостоятельно поле на неком расстоянии от неё (вроде как пробник E_farfield) и ДН в дальней зоне.

Выбираешь инструмент 3D-polygon и затем с помощью pick point кликаешь нужные точки. Одно неудобство, эти точки должны находиться на кривых или других объектах, просто получив pick list например из усреднения координат нарисовать с помощью того же pick point нельзя, надо их сначала "материализовать" в промежуточные ребра каким-либо образом извратившись и только потом применять 3D-polygon.

Вообще рисовать непосредственно в CST сложные объекты мне показалось крайне неудобным.

Я например не понял можно ли выравнивать объекты по точкам или ребрам? По умолчанию доступно только выравнивание по центральным точкам граней.
Можно ли перенести объект в центр начала локальной системы координат, так чтобы там оказалась его вершина или середина ребра? Двигать объекты по траектории через picked points чего-то не очень удобно.

У меня еще такой вопрос. Я думаю, опытным пользователям не составит труда на него ответить.
У меня есть некоторый объект, например, корабль. На нем расположено три штыревые антенны. Задаю на каждую из них дискретный порт, запускаю на решение. Все обсчитывается по каждому порту отдельно. А как мне получить картину E-поля, когда все антенны работают одновременно?

Подскажите, коллеги. Как CST считает S параметры для портов. Он пересчитывает из возбужденных в портах полей - токи/напряжения, а затем из них S параметры и далее как отношение токов/напряжений или напрямую токи и напряжения в портах, а из них S параметры?

Подскажите хоть где копать, а то в мануале ничего не нашел.

В настройках солвера есть "source excitation", затем в "Excitation list" можно поставить галочку "simultaneous excitation" и выбрать порты, их амплитуду и фазу. Похоже это оно, только надо опробовать на задаче попроще, а то текущая сильно долго считается.

Вы правы, это то, что вам надо

Уже проверил, но все равно спасибо.

Добрый день! Не подскажете как посчитать в CST коэффициенты прохождения и отражения плоской волны при наклонном падении на диэлектрический слой. С нормальным падением вроде разобрался, а вот с наклонным не получается. Заранее спасибо!

Уважаемые коллеги, если скопировать (Modelling->Transform->Translate (copy) ) объект, скажем куб, то при редактировании свойств получившегося дочернего объекта изменяется и родительский, наоборот тоже! Вопрос: как скопировать тело или несколько тел так, чтобы после копирования их можно было редактировать (менять размер), но при этом донор, которого копировали не изменялся?

Добрый день! Не подскажите как правильно посчитать влияние обтекателя на характеристики антенны? Правильно ли я понимаю, что сначала необходимо рассчитать антенну в свободном пространстве, затем взять в качестве источника ее ближнее поле и им возбудить обтекатель?

Может можно и так, но почему бы например не сделать две модели с обтекателем и без, экспортировать расчетные данные и обработать их в каком-нибудь MathCAD'е/MatLab'е, на худой конец в Excel'e



Насколько я знаю непосредственно в MWS такое сделать не получится либо две связанные копии, либо несвязанные, но тогда размеры менять нельзя. Для сложных моделей, наверно, проще использовать какой-нибудь сторонний 3d-редактор, из которого импортировать объекты.

У меня собственный вопрос возник. CST 2014. создал параметризованную антенну и запустил "Parameter sweep". Все благополучно обсчиталось. Иду в Postprocessing и выбираю Farfield results->Directivity at theta=90 получаю график только для последнего значения параметра. Облазил все менюшки, но так и не понял как в Tables добавить все рассчитанные значения параметра. В 2012 версии таких проблем не помню, там вроде все обсчитанные значения параметра автоматом выкидывались в Tables. А тут тыкаю Parametric View - только последнее значение параметра и все. Подскажите, пожалуйста, что делать!

Насчёт расчёта обтекателя забыл указать, что он очень больших электрических размеров и во временном солвере долго будет считаться. Поэтому думал обтекатель посчитать в I-solver. Стоит вопрос насколько корректно будет рассчитано влияние обтекателя в I-solver?

Что подразумевается под словом корректно? Точность расчета отдельных характеристик?
Тут не угадаешь, все зависит от очень большого количества факторов, в том числе и от адекватности построенной модели.
Я например для интереса посчитал входное сопротивление обычного диполя тремя способами (метод моментов - в FEKO, МКРВО - Transient в CST и МКЭ в HFSS), сравнил результаты с опытом. Получилось что точнее всего результаты в FEKO, далее идет HFSS и CST на последнем месте. СРавнение проводил по значениям абсолютной ошибки.
В одной серьезной конторе проводили сравнения разных солверов в CST, рассчитывали уровень напряженности E-поля. Конкретики не знаю, но мне сказали что для этих целей точнее всего Transient.

Насчет очень долго - это сколько? Я например задачу в 38 млн ячеек, 5 дискретных портов на ноуте i5, 8Гб ОЗУ обсчитывал около суток. Считаю данный показатель вполне допустимым.

Ну и еще думаю, что если расчеты проводятся на одной частоте, то лучше интегральный, если в диапазоне, то все равно быстрее будет расчет во временной области.

П.С. вопрос из поста 1884 актуален.

Alextip спасибо, что откликнулись, но нужной информации я не получил. Проблема в том, что антенная система сама по себе сложная и долго считается, а обтекатель очень сильно увеличивает размерность задачи- сотни миллионов будет. Мне приходилось рассчитывать зеркальные антенны крупных электрических размеров в I-solver при возбуждении ближним полем облучателя. Расчёт получился точным и быстрым. А вот возможно ли такое с обтекателем, где не металл, а многослойный диэлектрик?

Надо залезть в мануал по MWS и почитать инфу по солверам, вполне возможно, что диэлектрик обсчитывается вполне корректно.

В FEKO точно есть фишка, которая позволяет на определенные объекты назначать метод конечных элементов, остальное обсчитывая методом моментов. Вполне возможно что и тут есть что-то подобное.

В мануале написано, что Integral solver использует user-defined material tables more directly than transient. Ни о каких ограничениях не сказано.
Кроме того в том же мануале есть раздел где сравнивается коаксиальное разветвление рассчитанное во временной и частотной областях, так что freuqency domain корректно работает с диэлектриками. Ну и последнее "integral solver is freuqency domain based". Так что похоже на то, что никаких проблем быть не должно.

Вопрос из поста 1884 актуален.




П.С. Присуствует даже multilayer solver, но его можно использовать только для плоскослоистых структур. А как в 3d объекте назначить определенные многослойные поверхности я точно и не скажу, но все-таки думаю, что такое возможно.

При задании параметрического расчета справа есть кнопочка Result Template. Задайте там все, что хотите увидеть в процессе и после расчетов.

За цените книгу)

к сожалению, на сайте kurushin.ucoz.ru можно скачать pdf только с первыми 9-ю главами из 18-ти.
но, судя по всему, книга очень полезна.

Там же в каталоге вторая часть лежит, но отдельно:
Курушин А.А. Школа проектирования СВЧ устройств в CST STUDIO SUITE. Часть 2 (Главы 10-18)

https://www.cst.com/Content/News/news_item_...press%20release


CST announces CST EMC STUDIO

Всем добрый день!

Кто знает как в 2014 версии поля экспортировать? Куда-то эта опция подевалась по сравнению с предыдущими версиями или я ее не вижу?

Спасибо!

Здравствуйте, сталкивался ктонить с задачей разделения модели на под модели?
есть пример на оф сайте [Six-Pole Band-pass filter with Single Cross-Coupling - CST]
но совсем не понятно как это реализовано

что же там непонятного? на рисунке 3 показано как и на какие подмодели разбивается модель.
для каждой подмодели создается проект в MicroWave Studio.
на рисунке 4 показано как соединять подмодели в Design Studio.
Six-Pole Band-pass filter with Single Cross-Coupling - CST

Я пользуюсь этой кнопочкой и вижу, что в ходе расчетов проходят все значения параметра, однако после окончания расчета наблюдаю данные только по последнему значению параметра. Как вытащить на график или в таблицу остальные значения не понял. В 2012 версии все происходит автоматом. В 2014 почему-то нет. Может где менюшка хитрая, которую я пропустил.

Например у каждой из под модели по 6 и более портов! как это реализованно?

На сколько я понимаю, у каждой модели два порта, в скобках указаны моды.

А может у Вас есть какойнить проект под рукой показать?
К сожелению не приходилось сталкиваться с указанием мод