Благодарю, буду разбираться

Гуру дизайнера и hfss помогите кто чем. В проекте в дизайнере вставлена hfss модель антенной решетки. Я легко могу увидеть суммарную ДН в hfss после пуш экситейшн. Но мне очень хочется увидеть её прямо в дизайнере, чтобы можно было ее оптимизировать. Т.е. после очередного расчета схематики в дизайнере как-то должен происходить пуш источников в hfss и пересчет ДН и потом она как-то должна передаваться обратно в дизайнер.
Можно ли этот как-то сделать?

Можно, изучите, как HFSS output variables использовать в Designer

Спасибо за наводку! Нашел таки в хелпе раздел про ДинЛинк. Поставил галочку, где надо в опциях. Пересчитал проект, правда без пересимуляции включенной hfss модели, но в дизайнере в разделе аутпут переменных, категория ДинЛин Output Vars по прежнему пуста, хотя в hfss модели несколько этих переменных... Как быть...

Надо правильно прописывать Output Vars, что достаточно геморойно, если у вас много local variables.

Из хелпа не совсем понятно они должны вообще там появиться или нет.
Более того, такое впечатление (судя из примера), что там ДН можно увидеть только в одной пространственной точке...
Что такое "file" based output variables in HFSS??

Если вы не можете внутри HFSS задать какое то вычисление, чтобы наружу в Designer выходило что-то вам нужное в виде нескольких значений, то far field output valiables если не путаю, то да надо счивать в Designer для каждой пространственной точки по отдельности (как как при задании output valiables надо указывать "фи" и "тэта!.

С этим я как бы мысленно смирился, проблема в том, что я не вижу этих переменных из дизайнера. В проекте HFSS несколько таких "полевых" переменных (есть и "regular" переменные, я так понял из хелпа это S-параметры), но ни одной не видно, хотя hfss проект просимулирован, решение есть, источники отлично пушатся.

Правильно ли я понимаю значение термина "обратимый переход" (S21=S12)?
Если 4х полюсник пассивный то он обратимый, если активный (усилитель) то необратимый. По критерию активноссти ен совсем вписывается вентиль.
Или если есть трансформация поля? то он необратимый.
Вопрос пошел от коаксиально- волнoводного перехoда. Это же обратимый четырех полюсник?
Если есть ссылка на литературу буду очень благодарен.
Спасибо.

Вам подойдет любая книжка содержащая раздел матричное описание цепей

Это абзац взят из Пименов В.Ю., Вольман В.И., Муравцов А.Д. Техническая электродинамика

Основные свойства характеристических матриц.

1. Пас­сивный многополюсник, выполненный на основе изотропных материалов, является взаимным; в этом случае Sjq = Sqj для любых jи q. Для такого многополюсника матрица || S || будет симметрической, т.е. ||S| |= ||S|T, где || S||т-транспонированная матрица |S||. Матрицы ||Z|| и || У ||также будут симметрическими. Многополюсник, содержащий анизотропный материал (например, намагниченный постоянным магнитным полем феррит), является невзаимным, его характеристические матрицы не будут сим­метрическими (Sjq неравно SqJ).

2. Матрица рассеяния || S || многополюсника без потерь (с изотропным или анизотропным заполнением) является унитарной, для нее справедливо || S* ||т • || S || = || 1||, где || S* ||т - комплексно-сопряженная транспонированная матрица || S ||; это равенство является следствием закона сохранения энергии.

Сделано конечно не самым удачным образом, но если помнить о всех нюансах, то работает, проверенно только что.

Могу ошибаться, но фундаментальные моменты
1) Когда задаете HFSS модель в Designer указывайте линк на тот расчет, где у вас есть поля. "Push Excitation" Designer - to HFSS работает и для свипов, в которых полей нет, а вот обратно это не проходит (во всяком случае у меня)

2) В HFSS near field output variable должна считаться с помощью Fields Calculator.

3) Это не всегда обязательно, но во многих случаях полезно, в Designer надо HFSS модель задавать уже после того, как у вас заданы HFSS output variable

так и есть, более того стоит галка дискретном свипе в hfss сохранять НЕ только дальнее поле

мммм, но мне же нужно дальнее поле, а не ближнее...

так и есть. сперва создал проект в hfss с переменными и потом вставил его в дизайнер.

Попробуйте упростить ситуацию по максимуму, и посмотреть можете ли вы увидеть HFSS near field output variable для Last adaptive (без всяких свипов). Потом уже можно будет усложнять задачу.

Возникла задача согласовать диод в волноводной секции, своего рода дтектор.
В книжках много примеров где применяется ступенчатый или плавный переход с волновода стандартного сечения на П-образный.
Таким переходом убиваю 2х зайцев, фиксируют волновое сопротивление и формирую маленький зазор для крепления диода или иного элемента.
Я чего не могу понять. Есть патенты где используют похожий переход, да вот только на тонкой основе, пленке или слюде, не важно. Вопрос в толщине слоя метализации - максимум десятки мкм.
В итоге получается маленький зазор между "гребнями", этот зазор можно рассматривать как П-образный участок волновода?

можно, но очень приближенно.
наличие диэлектрика приводит к появлению совсем других типов волн - гибридных.
смотрите в сторону fin-line, ВЩЛ, волноводно-щелевых линий.

а с ДАЛЬНИМ полем та же процедура? мне нужно именно дальнее поле, ДН.
не вижу я "выходных" переменных hfss, которые связаны с дальним полем, пробовал на простом...

а для такой схемы нужен резистор в виде нагрузки по входу? по анологии с коаксивальным на 50 Ом.

зачем резистор, зачем нам лишние потери?
вы упоминали патенты, вот например АС СССР 1775843.
никакого там резистора нет. можно и поновее найти.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

т.е. нагрузкой является сопротивление перехода диода? так оно же 700 ...1500 Ом, а может и до 300 упасть.

почитайте патент.
там рассмотрены два аналога.
в первом (с резистором) - широкополосное согласование, но низкая чувствительность.
во втором (без резистора) - высокая чувствительность, но узкая полоса.
за прототип взят второй вариант, и
выбирайте из этих трех вариантов любой.
если что, не я автор патента, я вообще детекторами не занимаюсь, но литературы по ним море.

поделитесьь сылкой, где вы отечественные патенты скачиваете?

в моем сообщении №2772 подчеркнутый текст "АС СССР 1775843" - это ссылка.
кстати в этом сообщении подчеркнутый текст "№2772" - тоже ссылка.

уникальный сайт, а как Вам удалось добиться открытия содержания фото патента в большом разрешении? У меня не получается.

Гури, не завалялось ли у вас какой ли презентации или еще лучше скрипка, как перегнать геометрию вместе с назначенными метериалами из HFSS в ANSYS mechanical. Встроенные средства в Workbench позволяют перегнать только голую геометрию (терзают смутные сомнения, что сделано это посредством экспорт и импорта SAT файла), назначение материалов приходиться делать ручками в ANSYS mechanical.

а похоже что и нет такого механизма, потому что нет общей библиотеки материалов. Инграция продолжается )
Тоже ручками каждый раз ввожу материалы...

Может что нибудь найдете по теме
http://www.youtube.com/watch?v=5FqyNxxGzCs

Спасибо за ссылку. К сожалению она не по проблеме как прикрутить HFSS к родному ANSYS Mechanical (thermal solver)

добрый день форумчанам.
я начинающий пользователь HFSS, обучаюсь самостоятельно, и есть пара неразрешимых вопросов:

1. как выделять объекты, находящиеся внутри других объектов? например, создаем антенну и окружаем её воздушным боксом. а чтобы потом внести в антенну изменения, в режиме выделения Faces "хватаются" только наружные грани воздушного бокса, как выделить что-нибудь внутри?
2. по учебнику Курушина и компании делаю проект с антенной Вивальди. и сравниваю её с точно такой же, имеющейся в примерах HFSS. при сравнении полей Е видно, что в моём проекте что-то не так, энергия почти не излучается, в отличие от оригинального проекта антенны. что я делаю неправильно? файл проекта прилагается.

1. Способов несколько, например используйте кнопку В, будут перебираться объекты за ним или можно скрывать/показывать выбранные объекты из вида нажимая кнопочки с глазом на панели инструментов.
2. У вас не задано граничных условий на излучение. Выберите необходимые поверхности и выберите в меню по ПКМ Assign Boundary>Radiation...

Так же в дереве проекта нужно добавить анализ поля в дальней зоне, ПКМ на Radiation Insert Far Field Setup

Еще чуток горячих клавиш


F1: Помощь
F1 + Shift: Контекстная справка
F4 + CTRL: Закрыть Программа
CTRL + C: Копировать
CTRL + N: Новый проект
CTRL + O: Открыть
CTRL + S: Сохранить
CTRL + P Печать
Ctrl + V: Вставить
CTRL + X: Вырезать
CTRL + Y: Повторить
CTRL + Z: Отменить
CTRL + 0: Каскад окон
CTRL + 1: Плитка окна горизонтально
CTRL + 2: Плитка окна вертикально

Горячие клавиши для окна 3D Modeler
B: Режим выбора поверхности / объекта за выбранным элементом CTRL+В перебор поверхностей
F: Режим выделения поверхностей
О: Режим выделения объектов
CTRL + A: Выбор всех видимых объектов
CTRL + SHIFT +А: снятие всех объектов
CTRL + D: Оптимальный размер графического окна
CTRL + E: Увеличить, экран центр
CTRL + F: увеличение, экран центр
CTRL + Enter: Сдвиг локальную систему координат временно
SHIFT + Левая кнопка мыши: Перетащите
Alt + Левая кнопка мыши: Поворот модель
Alt + Shift + Левая кнопка мыши: Увеличение / уменьшение
F3: переключение в режим точки входа (то есть, рисовать объекты с помощью мыши)
F4: переключение в режим ввода (то есть, рисовать объект исключительно записи в команды и атрибуты окно)
F6: Рендер модели (вид проволочный каркас)
F7: Рендер модели (затененный вид)

DmitryHF, semenem спасибо за ответы!
с выделением разобрался.
а вот свой файл проекта я выложил неправильный,там были заданы не все граничные условия. сейчас я всё исправил. кратко говоря,я хочу повторить структуру, имеющуюся в Examples в директории HFSS. прошу сравнить мой проект с оригинальным. различий я не вижу, но при этом в моём явно есть ошибка, что видно по распределениям поля Е и тока по антенне. в архиве помимо своего проекта прикладываю тот самый оригинальный проект (ещё его можно найти так: .../Ansoft/HFSS/Examples/Antennas/phased_array_unitcell.hfss)

На первый взгляд похоже есть различия в геометрии, потому как разное количесво проходов до сходимости получается...
свою вы создали использую другие примитивы, поэтому точно сравнить сложно. Хотя.. скопируйте одну геомерию в другой проек и вычтите.

У Вас ошибка при назначении порта Floque и ГУ Master-Slave. См. вектора a и b порта, и вектора U ГУ Master-Slave (их ориентация имеет значение)

а вот и разница после вычитания

Прошу прощения это не ошибка, на решение не влияет.
Отличие в другом. Для границ Slave в проекте из примера используется Use Scan Angles to Calculate Phase Dela Phi=135 Theta=45 в Вашем Phi=0 Theta=0.
Чтобы распределения поля и токов были более похожи выставите такие же значения масштаба для E-Field и Jsurf как в исходном проекте. В дереве проекта ПКМ на E-Field выберите Modify Attributes.. и дальше вкладка Scale.

Очень даже влияет. При равном количесве проходов будет разное количество тетр. В конечном итоге, если бы проекты были бы полностью одинаковыми, то при удовлетоворительной сходимости (резильт -есть истина) поля и токи были бы почти равными.
То что предлагаете вы (работа со масштабом) не есть правильно. Так можно привести к одному множителю любые два поля в двух немного отличающихся проектах.

Возможно, что влияет, но существенных отличий не заметил в данной модели.
Почему не правильно? Если clawermachine хочет сравнить два проекта, и в оригинальном проекте при отображении полей установлен определенный масштаб, то для того чтобы распределение поля в его проекте отображалось так же, ему небходимо сделать такие же настройки. В данном случае в оригинальном проекте они заданы, а в его испоьзуются настройки по умолчанию. При одинаковых настройках масштаба результаты получаются практически одинаковы.

HFSS, DmitryHF, благодарю!!
действительно, дело в масштабе. можно подгонять шкалу под красивый вид, можно просто отптичить логарифмический режим.
а со связью векторов (U;Y) ГУ и (a;b) порта Флоке ещё разбираюсь

Господа, помогите. Только начинаю в HFSS считать. Необходимо просчитать мост вилкинсона. Для этого нужно создать резистор. Можно ли в HFSS сделать резистор.

Можно решить проблему двумя путями:

1. Использовать граничные условия Lumped RLC в том месте, где должен находиться резистор.

2. Создать объект в виде параллелепипеда в том месте, где должен находиться резистор , создать материал с конечной проводимостью (сим/м) и присвоить объекту материальные свойства. При этом сопротивление объекта будет определяться его размерами, т.е. площадью поперечного сечения и длиной.

Результаты обеих способов могут отличаться, т.к. первый способ не учитывает частотные свойства резистора.
Если копать глубже, то есть книга Lumped elements for RF and microwave circuits / Inder Bahl.

p. cm. — (Artech House microwave library) 2003


Можно создать идеальную модель SMD - резистора.

Способ 3
Создать 2D-элемент с габаритами резистивной пленки и назначить импедансное граничное условие с поверхностным сопротивлением Ом/квадрат, что намного лучше 2-го способа, т. к. не приводит к измельчению сетки, а точность в общем-то такая же. 2-й способ - ловля блох. 1-й - не учитывает распределения поля по поверхности, но в большинстве случаев достаточен. Думаю, 3-й способ оптимален как с точки зрения ресурсных затрат, так и с точки зрения того, чтобы особо не думалось об адекватности результата.

это ж как? лампед RLC присвоенный какому-то прямоугольнику что-то не учитывает?

Способ 2 пробовал не работает. Получается какая-то несуразица. Резистор имеет резонансные свойства. Так для параллелепипеда 2 на 3 мм и высотой 0.6 с проводимостью 130 000 См/м ( по расчетам это сопротивление около 200 ОМ) АЧХ получается как у LC контура посаженного на землю. Да забыл резистор ставлю в 50-Ом линию на землю и смотрю s11 и s21. Так вот АЧХ LC контура, то есть на низких частотиах не пропускает на резонансной частоте минимум потерь и на высоких частотах также не пропускает.

конечно, поскольку элементы RLC сосредоточеные.

Попробовал первый способ все заработало. Сделал 2D плоскость 2.6 на 1.8 мм и задал граничные условия RLC. Считается по ходу верно. Ща еще пару экспериментов сделаю и отпишусь.

Вопрос такой а как понимать - поверхностным сопротивлением Ом/квадрат. Какое мне надо вввести, чтобы получить 200 Ом на 2D обьекте размерами 2.6 на 1.8.

Вопрос связан с тем, что способ с Lumped RLC работает как-то криво.

эээ, ну вот нарисовал я прямоугольник 2х1мм2 между двумя полоскАми, поставил галочку, что это индуктивность 100500нГ и линию назначил.
что там не учтено, кроме очевидных непохожестей на реальный индуктор? а если длина у него 2000 мм это тоже сосредоточенный? на лампед элементе вроде ж есть сетка, так же как и везде.


да не мучайтесь вы с этим погонным импедансом, все там нормально с Lumped RLC...
шоб было прямо надо структуру смд-шку учитывать. Паразитные емкости/индуктивности...

Там какая то хрень и не важно поверхностный импеданс или LumpedRLC. Например, у резистора 50 Ом, включеннорго в середину 50- Ом линии длиной 50 мм. КСВ на частоте 1 ГГц -10дб как и должно быть, а далее почему то скатывается до -17 дб на 15 ГГц и далее начинается возрастать и на 24 ГГц - 12. Такого нет в реале (я промерял). Почему так происходит.

Длина линии 50 мм на частотах свыше 10 ГГц это намного больше длины волны. Там должны быть осцилляции КСВ. В идеале расчет должен был дать s11 такой - на низких частотах -10 дб, а начиная с 6ГГц осцилляции КСВ вокруг -10 дб. Но он выдает описанную выше хрень, почему?

ПОМОГИТЕ разобраться плизз!!!!!

3-й способ не проверял.

1-й и 2-й способы проверил в проекте 0.1-1 ГГц, (не знаю ваши частоты).

В 1-м случае Lamp_R=200 Oм, реально получается (193-266) Ом.

Во 2-м случае объемный резистор 2х3х0,6 мм при сопротивлении равном 200 Ом должен быть выполнен из материала с проводимостью 12,5 Сим/м.

R=ρL/S, где ρ - удельное сопротивление [Ом*м], величина обратная удельной проводимости σ[Сим/м].

У вас же приводилась какая-то огромная цифра, где вы писали про резонанс.

По результатам моделирования получилось (93-167) Ом, как-то грубовато.

Очевидно - 1-й способ точнее.

Проект Нажмите для просмотра прикрепленного файла, может быть знатоки подскажут, в чем здесь ошибки.

Ну а что касается 3 способа, да он по определению самый верный...

Точно с кубиком получается 12.5 См/м неправильно в формуле перевел мм в м. Но это ща не важно про кубик мы забыли. Давайте разбираться с 2-мя остальными методами.

А насчет 0.1-1 ГГц, так у меня тоже на этих частотах все хорошо, а вот на высоких частотах как-то все плохо.

Да и еще вопрос а что значит "реально получается (193-266) Ом" - это зависимость от частоты?